La plaquette de phosphure d’indium (InP) est un semi-conducteur composé III-V à haute mobilité, à bande interdite directe (1,34 eV). Optimisé pour les RF haute fréquence (jusqu’à THz), les communications optiques de 1,3 à 1,55 μm et les circuits intégrés photoniques (PICs) à faible bruit. Avec une faible EPD et des finitions de surface prêtes à l’épi.

L’arséniure de gallium (GaAs) combine une bande interdite directe avec une grande mobilité électronique, ce qui en fait un matériau substrat largement utilisé pour les dispositifs haute fréquence et optoélectroniques. Les wafers GaAs de PWG prennent en charge les MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, diodes laser et cellules solaires à haute efficacité, disponibles en plusieurs diamètres, orientations cristallines et finitions de surface prêtes pour l’épi.

Power Wafertech Group fournit des plaquettes de substrat arséniure d’indium (InAs) pour la détection infrarouge, l’électronique à haute mobilité et la recherche avancée sur les semi-conducteurs III-V. Les options disponibles incluent des InA de type N et P, avec des diamètres de wafer sélectionnés, des orientations cristallines et des finitions de surface pour la fabrication des dispositifs et la croissance épitaxiale.

Avec une constante de réseau d’environ 6,096 Å, GaSb (antimonide de gallium) offre une excellente compatibilité de réseau avec des matériaux à base d’antimonide tels que InAs, AlSb et InAsSb, ce qui en fait une plateforme substrataire importante pour les détecteurs infrarouges super-réseau de type II (T2SL), les lasers mid-IR et les dispositifs optoélectroniques avancés. Les plaquettes GaSb sont disponibles en plusieurs diamètres, orientations cristallines et finitions de surface pour la croissance épitaxiale et la fabrication des dispositifs.

Avec un gap de bande directe ultra-étroit d’environ 0,17 eV à 300 K et une mobilité électronique exceptionnellement élevée, InSb est particulièrement adapté à la détection infrarouge à moyenne longueur d’onde (MWIR) dans la plage de 3 à 5 μm. PWG fournit des plaquettes d’antimonide d’indium (InSb) de type N et P pour la détection infrarouge à haute sensibilité, la détection magnétique et l’électronique cryogénique.

Les substrats de GaN autoportants (FS) sont des plaquettes de GaN en vrac natives éliminant les substrats étrangers (saphir/silicium). Dotée d’une densité de dislocations ultra-faible et d’une haute qualité cristalline, offrant la plateforme ultime pour les diodes laser haute performance, les micro-LED et les dispositifs RF.