Les substrats de GaN autoportants (FS) sont des plaquettes de GaN en vrac natives éliminant les substrats étrangers (saphir/silicium). Dotée d’une densité de dislocations ultra-faible et d’une haute qualité cristalline, offrant la plateforme ultime pour les diodes laser haute performance, les micro-LED et les dispositifs RF.

Le gala de PWG fait référence à des couches épitaxiales de GaN de haute qualité cultivées sur des substrats en saphir, silicium ou SiC. Offrant une plateforme économique et prête pour l’épi-production pour la recroissance ultérieure du GaN et la fabrication avancée de dispositifs.

Les plaquettes épitaxiales LED GaN de PWG sont des hétérostructures AlGaN/InGaN cultivées par MOCVD, conçues pour des LED UV, bleues et vertes à haute efficacité. Dotées de structures multi-puits quantiques précises (MQW), ces wafers d’épi offrent un haut rendement quantique interne (IQE), une émission uniforme et une fiabilité supérieure des dispositifs.

Structures HEMT AlGaN/GaN à croissance précise pour la commutation RF haute fréquence et haute puissance. Doté de tampons à faible défaut et de canaux 2DEG à haute densité pour des performances supérieures de l’appareil.

Plaquettes de substrat SiC premium pour les dispositifs de puissance, RF et optoélectronique. Disponible en polytypes 4H, 6H et 3C avec des options de type N, type P et semi-isolantes. Proposé en tailles 2"–12 » avec des finitions Epi-ready pour la fabrication avancée de semi-conducteurs.

Les plaquettes épitaxiales SiC cultivées par CVD, offrant une excellente uniformité d’épaisseur et une faible densité de défauts. Conçu pour des dispositifs de puissance de 600V à 10kV (SBD, MOSFET, IGBT), permettant des applications haute performance dans les véhicules électriques, les véhicules industriels et les énergies renouvelables.