01
Diodes laser bleues, vertes et UV (LD)
La faible densité de dislocations (<5×10⁶ cm⁻²) permet des lasers et VCSEL à haute efficacité, à faible seuil et à longue durée de vie pour des applications bleues, vertes et UV.
Plaquettes GaN
Substrat GaN autonome
Les substrats de GaN autoportants (FS) sont des plaquettes de GaN en vrac natives éliminant les substrats étrangers (saphir/silicium). Dotée d’une densité de dislocations ultra-faible et d’une haute qualité cristalline, offrant la plateforme ultime pour les diodes laser haute performance, les micro-LED et les dispositifs RF.
- Taille — 2 pouces, 4 pouces, 10 x 10 mm²
- Orientation cristalline — Plan A/C/M, semi-polaire, non polaire
- Densité de dislocations — typiquement < 5×10⁶ cm⁻²
- Type de conduction — Type N (Si-dopé) · Semi-isolant (dopé Fe ou C)
- Finis de surface — Épi-ready
- Emballage — Cassette à wafer unique, scellée sous vide
Spécifications détaillées
Spécifications par type de plaquette.
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Avis de contrôle des exportations
L’exportation de ce produit est réglementée par le Ministère du Commerce de la RPC (MOFCOM). Une licence d’exportation doit être obtenue avant l’expédition.
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Applications
Où cette plaquette apporte de la valeur
02
Micro-LED et écrans avancés
La plateforme GaN native offre une émission uniforme et une haute qualité cristalline pour les écrans micro-LED AR/VR de nouvelle génération et les applications ultra-haute luminosité.
03
RF haute puissance / haute fréquence
Une excellente conductivité thermique et ses propriétés semi-isolantes en font un modèle idéal pour les amplificateurs de puissance RF à haute linéarité et haute efficacité dans les infrastructures 5G/6G et les systèmes à ondes millimétriques.
04
R&D fondamentale et appliquée
La plateforme de référence pour explorer la physique novatrice des dispositifs GaN, les dispositifs quantiques (points/fils quantiques) et les concepts optoélectroniques de nouvelle génération.
FAQ
Questions fréquentes sur ce produit
Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.
La densité typique de dislocations est de <5×10⁶ cm⁻². Les valeurs spécifiques peuvent être discutées selon le grade et l’application requis de la plaquette.
Oui. En plus du GaN conventionnel en plan c, nous pouvons fournir des substrats en plan a, plan m, semi-polaire et non polaire selon les exigences de la structure de dispositif prévue.
Oui. PWG est favorable à la R&D. Nous proposons à la fois des tailles standard (2 pouces, 4 pouces, 10x10 mm²) et des dimensions personnalisées.
Les plaquettes sont scellées sous vide dans des cassettes à une seule plaquette dans une salle blanche afin d’assurer une livraison prête à la fabrication.
Modèle GaN
Le gala de PWG fait référence à des couches épitaxiales de GaN de haute qualité cultivées sur des substrats en saphir, silicium ou SiC. Offrant une plateforme économique et prête pour l’épi-production pour la recroissance ultérieure du GaN et la fabrication avancée de dispositifs.
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Épitaxie LED GaN
Les plaquettes épitaxiales LED GaN de PWG sont des hétérostructures AlGaN/InGaN cultivées par MOCVD, conçues pour des LED UV, bleues et vertes à haute efficacité. Dotées de structures multi-puits quantiques précises (MQW), ces wafers d’épi offrent un haut rendement quantique interne (IQE), une émission uniforme et une fiabilité supérieure des dispositifs.
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Épitaxie GaN HEMT
Structures HEMT AlGaN/GaN à croissance précise pour la commutation RF haute fréquence et haute puissance. Doté de tampons à faible défaut et de canaux 2DEG à haute densité pour des performances supérieures de l’appareil.
Voir les détailsEnquête technique
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Réponse menée par l’ingénierie
Les demandes d’information sont transmises à l’équipe technique ou commerciale appropriée.
Adresse
N° 1389, route Lianmei, zone industrielle de Lianhua, Tong’an, Xiamen, Fujian 361100, Chine
Téléphone
