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La faible densité de défauts est essentielle pour obtenir une longue durée de vie opérationnelle, un courant seuil faible et une grande fiabilité dans les lasers à émission de bord et les VCSEL.
Essentiel pour la fabrication de réseaux micro-pixels uniformes et à haute efficacité avec une variation minimale de longueur d’onde, pilotant des écrans de nouvelle génération pour les applications AR/VR et ultra-haute luminosité.
La combinaison d’une excellente conductivité thermique et de propriétés semi-isolantes rend ces substrats idéaux pour les amplificateurs de puissance RF à haute linéarité et haute efficacité dans les infrastructures 5G/6G et les systèmes à ondes millimétriques.
La plateforme de référence pour explorer la physique des dispositifs GaN novatrices, les structures quantiques et les concepts optoélectroniques de nouvelle génération.
Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.
La densité typique de dislocations est de <5 × 10⁶ cm⁻². Les valeurs spécifiques peuvent être discutées selon le grade et l’application requis de la plaquette.
Oui. En plus du GaN conventionnel en plan c, nous pouvons fournir des substrats en plan a, plan m, semi-polaire et non polaire selon les exigences de la structure de dispositif prévue.
Enquête technique
Partagez votre matériau, dimensions, spécifications, stade d’application ou de projet. Notre équipe examinera vos besoins et répondra dans un délai d’un jour ouvré.
Réponse menée par l’ingénierie
Les demandes d’information sont transmises à l’équipe technique ou commerciale appropriée.
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