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L’exportation de ce produit est réglementée par le Ministère du Commerce de la RPC (MOFCOM). Une licence d’exportation doit être obtenue avant l’expédition.
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Les substrats semi-isolants de GaAs sont largement utilisés dans la fabrication de dispositifs à haute fréquence, notamment les MMIC, pHEMT, HEMT et HBT. Ils conviennent aux front-ends RF, amplificateurs micro-ondes, communications sans fil et applications connexes.
Les substrats de GaAs sont utilisés pour la croissance épitaxiale des structures optoélectroniques III-V, y compris les systèmes de dispositifs basés sur AlGaAs et InGaAs. Les applications incluent les VCSEL, les diodes laser, les émetteurs infrarouges et les dispositifs de détection optique.
Le GaAs est un matériau semi-conducteur III-V important pour les dispositifs photovoltaïques à haute efficacité, y compris les cellules solaires spatiales et les systèmes photovoltaïques à concentration. Les besoins en substrat dépendent de l’architecture de la cellule et du processus de fabrication.
Les substrats GaAs soutiennent la croissance de structures épitaxiales III-V pour certaines applications LED et optoélectroniques, y compris les émetteurs rouges et infrarouges.
Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.
Les plaquettes conductrices de GaAs, y compris les matériaux de type N et P, sont utilisées dans des structures de dispositifs nécessitant une conductivité électrique spécifique. Les plaquettes semi-isolantes en GaAs offrent une grande résistivité électrique et sont couramment utilisées dans la fabrication de dispositifs RF et micro-ondes. Le type approprié dépend de l’architecture du dispositif et des exigences du processus.
Le GaAs semi-isolant est couramment considéré pour les MMIC, pHEMMT et autres dispositifs RF ou micro-ondes. La résistivité requise, l’orientation des cristaux, la finition de surface et d’autres paramètres doivent être spécifiés selon la conception de l’appareil.
Les substrats GaAs sont largement utilisés pour la croissance épitaxiale des structures VCSEL et de diodes laser. Le type de conductivité requis, l’orientation, la finition de surface et d’autres spécifications dépendent de la conception épitaxiale et de l’architecture du dispositif.
Certains diamètres de plaquettes incluent 2 », 3 », 4 » et 6 ». L’orientation des cristaux, le type de conductivité, la résistivité, la finition de surface et d’autres paramètres dépendent de la spécification du matériau disponible. Contactez PWG pour confirmer les exigences de votre projet.
La plaquette de phosphure d’indium (InP) est un semi-conducteur composé III-V à haute mobilité, à bande interdite directe (1,34 eV). Optimisé pour les RF haute fréquence (jusqu’à THz), les communications optiques de 1,3 à 1,55 μm et les circuits intégrés photoniques (PICs) à faible bruit. Avec une faible EPD et des finitions de surface prêtes à l’épi.
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Power Wafertech Group fournit des plaquettes de substrat arséniure d’indium (InAs) pour la détection infrarouge, l’électronique à haute mobilité et la recherche avancée sur les semi-conducteurs III-V. Les options disponibles incluent des InA de type N et P, avec des diamètres de wafer sélectionnés, des orientations cristallines et des finitions de surface pour la fabrication des dispositifs et la croissance épitaxiale.
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Le GaSb (antimonide de gallium) est le substrat préféré pour l’épitaxie à base d’antimonide. Doté d’une constante de réseau de 6,096 Å pour une excellente compatibilité InAs/AlSb, il est largement utilisé pour les détecteurs infrarouges de type II super-réseau (T2SL) et les lasers infrarouges moyens. Disponible en tailles 2 », 3 » et 4 » avec des finitions de surface Epi-ready.
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InSb (antimoniure d’indium) est disponible pour les détecteurs infrarouges MWIR et les dispositifs magnétorésistifs. Des options de type N et P avec des surfaces prêtes à l’épi sont disponibles pour répondre aux besoins spécifiques de fabrication de dispositifs et de croissance épitaxiale.
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Les demandes d’information sont transmises à l’équipe technique ou commerciale appropriée.
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N° 1389, route Lianmei, zone industrielle de Lianhua, Tong’an, Xiamen, Fujian 361100, Chine
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