Plaquettes composées III-V

Gaufrette GaAs

L’arséniure de gallium (GaAs) combine une bande interdite directe avec une grande mobilité électronique, ce qui en fait un matériau substrat largement utilisé pour les MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, diodes laser, LED et cellules solaires à haute efficacité. Les plaquettes GaAs existent en plusieurs diamètres, orientations cristallines et finitions de surface.

Taille — 2 », 3 », 4 » et 6 »
Orientation — (100), (111)A et (111)B
Type de conduction — Type N (dopé au silici), type P (dopé au zinc) et semi-isolant (dopé au C)
Finis de surface — SSP ou DSP, prêt pour l’épi
Emballage — Cassette à wafer unique, scellée sous vide

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Spécifications détaillées

Spécifications publiées par diamètre de plaquette.

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Paramètre	Substrat GaAs de 2" (50,8 mm)
Conduction Type	N-Type
Dopant	Si
Orientation	(100), (111)A, (111)B
Résistivité	(1,5–9) × 10⁻³ Ω·cm
Mobilité	1500–3000 cm²/V·s
EPD	≤5000 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Paramètre	Substrat GaAs de 3" (76,2 mm)
Conduction Type	N-Type
Dopant	Si
Orientation	(100), (111)A, (111)B
Résistivité	(1,5–9) × 10⁻³ Ω·cm
Mobilité	1500–3000 cm²/V·s
EPD	≤5000 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Paramètre	Substrat GaAs de 4" (100 mm)
Conduction Type	N-Type
Dopant	Si
Orientation	(100), (111)A, (111)B
Résistivité	(1,5–9) × 10⁻³ Ω·cm
Mobilité	1500–3000 cm²/V·s
EPD	≤5000 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Paramètre	Substrat GaAs de 6" (150 mm)
Conduction Type	N-Type
Dopant	Si
Orientation	(100), (111)A, (111)B
Résistivité	(1,5–9) × 10⁻³ Ω·cm
Mobilité	1500–3000 cm²/V·s
EPD	≤5000 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Applications

Où cette plaquette apporte de la valeur

RF & Micro-ondes

Les wafers semi-isolants en GaAs offrent une isolation électrique et de faibles effets parasites pour la fabrication de dispositifs à haute fréquence. Dispositifs typiques : MMICs HEMTs pHEMTs HBT Amplificateurs à faible bruit amplificateurs RF de puissance Applications typiques : communications 5G / 6G Infrastructure sans fil Communications par satellite Instrumentation radar RF

VCSEL & Diodes laser

Les plaquettes conductrices de GaAs sont largement utilisées comme substrats pour des structures optoélectroniques III-V basées sur des AlGaAs, des InGaAs et des matériaux apparentés. Dispositifs typiques : VCSEL, diodes laser, LED infrarouges, dispositifs de détection optique

Photovoltaïque

Le GaAs offre de hautes performances de conversion optoélectronique et est utilisé dans les dispositifs photovoltaïques à haute efficacité. Applications typiques : Cellules solaires spatiales Cellules solaires à haute efficacité Photovoltaïques concentrées

LED & Optoélectronique

Les substrats GaAs soutiennent la croissance des structures épitaxiales III-V pour les dispositifs rouges, infrarouges et autres dispositifs optoélectroniques.

FAQ

Questions fréquentes sur ce produit

Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.

Quelle est la différence entre le GaAs conducteur et le semi-isolant ?

Le GaAs conducteur est couramment utilisé lorsque l’injection de courant électrique est nécessaire, comme les dispositifs optoélectroniques. Le GaAs semi-isolant offre une grande résistivité électrique et est largement utilisé pour les dispositifs RF et micro-ondes.

Quel wafer GaAs convient aux applications RF ?

Le GaAs semi-isolant dopé au C est couramment sélectionné pour les MMIC, HEMT, pHEMT, HBT et autres dispositifs à haute fréquence.

Quel wafer GaAs convient aux VCSEL ?

Les plaquettes conductrices de GaAs sont couramment utilisées comme substrats pour le VCSEL et l’épitaxie à diode laser, le type exact de conductivité dépendant de la structure de l’appareil.

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