Fournisseur de plaquettes et épitaxie semi-conductrices composées | Groupe Power Wafertech

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Plaquettes GaN

Modèle GaN

Le gala de PWG fait référence à des couches épitaxiales de GaN de haute qualité cultivées sur des substrats en saphir, silicium ou SiC. Offrant une plateforme économique et prête pour l’épi-production pour la recroissance ultérieure du GaN et la fabrication avancée de dispositifs.

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Plaquettes GaN

Épitaxie LED GaN

Les plaquettes épitaxiales LED GaN de PWG sont des hétérostructures AlGaN/InGaN cultivées par MOCVD, conçues pour des LED UV, bleues et vertes à haute efficacité. Dotées de structures multi-puits quantiques précises (MQW), ces wafers d’épi offrent un haut rendement quantique interne (IQE), une émission uniforme et une fiabilité supérieure des dispositifs.

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Plaquette épitaxiale en silicium

Plaquette épitaxiale en silicium

Power Wafertech Group fournit des plaquettes épitaxiales en silicium (wafers Si epi) cultivées par épitaxie CVD avancée. Des couches épitaxiales de silicium précisément contrôlées sont déposées sur des substrats conducteurs afin d’obtenir l’épaisseur, le profil de dopage et la résistivité requises pour la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs.
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Plaquettes GaN

Épitaxie GaN HEMT

Structures HEMT AlGaN/GaN à croissance précise pour la commutation RF haute fréquence et haute puissance. Doté de tampons à faible défaut et de canaux 2DEG à haute densité pour des performances supérieures de l’appareil.

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Substrat de silicium

Substrat de silicium

Power Wafertech Group fournit des plaquettes en silicium monocristallin pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, les MEMS, la croissance épitaxiale et les applications de recherche. Des plaquettes en silicium de qualité première et de qualité test peuvent être fournies.
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Plaquette de dioxyde de silicium

Plaquette de dioxyde de silicium

Power Wafertech Group fournit des plaquettes de dioxyde de silicium (SiO₂ on Si) fabriquées par oxydation thermique contrôlée des substrats de silicium. L’oxydation thermique sèche et l’oxydation thermique humide sont disponibles selon les épaisseurs d’oxyde et les exigences de procédé. Nos plaquettes SiO₂ présentent une épaisseur contrôlée de l’oxyde, une bonne uniformité au niveau des plaquettes et des surfaces prêtes à l’épi-procédé.
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TROIS FAMILLES DE MATÉRIAUX DE BASE

Feuille de route des matériaux conçus pour votre appareil

Parcourez les substrats et les plaquettes d’épi par famille de matériaux. Configurations standard et spécifications personnalisées disponibles pour la R&D et la production en volume.

APPLICATIONS & INDUSTRIES

Applications et industries

CAS 01 / SYSTÈMES HAUTE TENSION

Électronique de puissance

Solutions de wafers à large bande interdite conçues pour des architectures 800V+. Garantir une conversion de puissance à haute efficacité, une commutation rapide et un fonctionnement fiable à haute température.

FOCUS SUR L’APPLICATION

Groupes motopropulseurs EV · Charge rapide · Entraînements à moteur industriel

PRODUITS RECOMMANDÉS

4H-SiC GaN

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Comment une demande personnalisée progresse

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INGÉNIERIE PERSONNALISÉE

Paramètres au-delà de la liste standard

Diamètre et épaisseur personnalisés
Orientation et découpage
Dopage et résistivité
Films minces et empilements de couches
Profil de surface et d’arêtes
Marquage et emballage
01Exigences de soumission
02Revue technique
03Alignement des spécifications
04Estimation et délai d’exécution
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ENQUÊTE TECHNIQUE

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Réponse menée par l’ingénierie

Les demandes d’information sont transmises à l’équipe technique ou commerciale appropriée.

Adresse

N° 1389, route Lianmei, zone industrielle de Lianhua, Tong’an, Xiamen, Fujian 361100, Chine

Téléphone

+86-592-5633652

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