Plaquettes composées III-V

Plaquette InAs

Power Wafertech Group fournit des plaquettes de substrat arséniure d’indium (InAs) pour la détection infrarouge, l’électronique à haute mobilité et la recherche avancée sur les semi-conducteurs III-V. Les options disponibles incluent des InA de type N et P, avec des diamètres de wafer sélectionnés, des orientations cristallines et des finitions de surface pour la fabrication des dispositifs et la croissance épitaxiale.

Taille — 2 », 3 » et 4 »
Orientation — (100), (111)
Type de conduction — Type N (dopé S / Sn) et type P (dopé au Zn)
Finis de surface — SSP / DSP, prêt pour l’épi
Emballage — Cassette simple ou multi-wafer, sous vide

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Spécifications détaillées

Spécifications par type de plaquette.

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Paramètre	Substrat InAs de 2" (50,8 mm)
Conduction Type	N-Type	Type P
Dopant	S / Sn	Zn
Orientation	(100) / (111)	(100) / (111)
Épaisseur	500±25	500±25
TTV
Arc
Warp
Mobilité électronique	6 000–20 000 ou ≥20 000 cm²/V·s	100–400 cm²/V·s
Concentration de porteuse	5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁰ cm⁻³	(1–10) × 10¹⁵ cm⁻³
EPD	≤50 000 cm⁻²	≤30 000 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Paramètre	Substrat InAs de 3" (76,2 mm)
Conduction Type	N-Type	Type P
Dopant	S / Sn	Zn
Orientation	(100) / (111)	(100) / (111)
Épaisseur	600±25um	600±25um
TTV
Arc
Warp
Mobilité électronique	6 000–20 000 ou ≥20 000 cm²/V·s	100–400 cm²/V·s
Concentration de porteuse	5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁰ cm⁻³	(1–10) × 10¹⁵ cm⁻³
EPD	≤50 000 cm⁻²	≤30 000 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Paramètre	Substrat InAs de 4" (100 mm)
Conduction Type	N-Type	Type P
Dopant	S / Sn	Zn
Orientation	(100) / (111)	(100) / (111)
Épaisseur	900±25	900±25
TTV
Arc
Warp
Mobilité électronique	6 000–20 000 ou ≥20 000 cm²/V·s	100–400 cm²/V·s
Concentration de porteuse	5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁰ cm⁻³	(1–10) × 10¹⁵ cm⁻³
EPD	≤50 000 cm⁻²	≤30 000 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Applications

Où cette plaquette apporte de la valeur

Détecteurs et capteurs infrarouges

InAs est utilisé dans les photodétecteurs infrarouges et les structures de détection, y compris dans certaines applications de détection de gaz et de spectroscopie. Le type de conductivité du substrat requis, la concentration des porteurs et l’état de la surface dépendent de la conception du détecteur et de la structure du matériau. Applications typiques : photodétecteurs infrarouges, capteurs infrarouges, spectroscopie et recherche sur la détection des gaz.

Électronique à haute mobilité

La grande mobilité électronique des InAs en fait un matériau utile pour les structures électroniques à haute mobilité et la recherche avancée sur les transistors. Ses propriétés électriques peuvent soutenir le développement de dispositifs à grande vitesse et d’hétérostructures électroniques spécialisées. Applications typiques : transistors à haute mobilité, mesures à effet Hall, électronique à haute vitesse et recherche sur les hétérostructures III-V.

Épitaxie III-V

La tranche InAs offre une plateforme polyvalente pour la croissance épitaxiale de structures semi-conductrices composées via MBE et MOCVD. Leur bande interdite directe étroite (0,354 eV) et leur grande mobilité électronique les rendent idéaux pour la croissance d’hétérostructures sensibles à l’infrarouge, incluant les superréseaux InAs/GaSb de type II, les alliages InAsSb et les structures confinées quantiquement. Les applications typiques incluent le développement de matériaux épitaxiaux pour les détecteurs MWIR/LWIR, les transistors à grande vitesse et la recherche avancée sur les semi-conducteurs III-V.

FAQ

Questions fréquentes sur ce produit

Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.

À quoi servent les plaquettes InAs ?

Les plaquettes d’arséniure d’indium (InAs) sont utilisées dans la détection infrarouge, les dispositifs électroniques à haute mobilité et la recherche sur les semi-conducteurs III-V. Les applications typiques incluent les photodétecteurs infrarouges, les capteurs Hall, les structures de transistors à grande vitesse et le développement de matériaux épitaxials.

Quelle plaquette InAs convient à la croissance épitaxiale ?

Le substrat InAs approprié dépend du système de matériaux épitaxiaux, du processus de croissance, de l’orientation des cristes, de l’état de la surface et de la structure du dispositif. Précisez vos exigences de croissance et les critères d’acceptation de la surface lors de la demande de devis.

Quel wafer InAs convient aux dispositifs électroniques à haute mobilité ?

Les InAs de type N sont couramment sélectionnés pour les applications nécessitant une grande mobilité électronique.

Comment puis-je demander un devis pour un wafer InAs ?

Soumettez vos spécifications, la quantité et la demande prévue via le formulaire de demande technique. Vous pouvez également joindre une fiche technique ou un dessin pour nous aider à évaluer vos besoins.

Enquête technique

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