Plaquettes composées III-V

Plaquette InAs

Avec une bande passante directe étroite d’environ 0,354 eV à 300 K et une mobilité électronique exceptionnellement élevée, les InA conviennent parfaitement aux détecteurs infrarouges, capteurs Hall, transistors à haute vitesse et autres dispositifs à haute mobilité.

Taille — 2 », 3 » et 4 »
Orientation — (100), (111)
Type de conduction — Type N (dopé S / Sn) et type P (dopé au Zn)
Finis de surface — SSP / DSP, prêt pour l’épi
Emballage — Cassette simple ou multi-wafer, sous vide

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Spécifications détaillées

Spécifications publiées par diamètre de plaquette.

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Paramètre	Substrat InAs de 2" (50,8 mm)
Conduction Type	N-Type
Dopant	S / Sn
Orientation	(100) / (111)
Épaisseur	500±25
TTV
Arc
Warp
Mobilité électronique	6 000–20 000 ou ≥20 000 cm²/V·s
Concentration de porteuse	5 × 10¹⁶–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤50 000 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi

Paramètre	Substrat InAs de 3" (76,2 mm)
Conduction Type	N-Type
Dopant	S / Sn
Orientation	(100) / (111)
Épaisseur	600±25um
TTV
Arc
Warp
Mobilité électronique	6 000–20 000 ou ≥20 000 cm²/V·s
Concentration de porteuse	5 × 10¹⁶–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤50 000 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Paramètre	Substrat InAs de 4" (100 mm)
Conduction Type	N-Type
Dopant	S / Sn
Orientation	(100) / (111)
Épaisseur	900±25
TTV
Arc
Warp
Mobilité électronique	6 000–20 000 ou ≥20 000 cm²/V·s
Concentration de porteuse	5 × 10¹⁶–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤50 000 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Applications

Où cette plaquette apporte de la valeur

Détection infrarouge

La bande interdite étroite des InAs le rend adapté à la détection et à la détection infrarouge, en particulier dans les rayons infrarouges courts et moyens. Dispositifs typiques : photodétecteurs infrarouges, capteurs IR, capteurs de gaz, dispositifs d’imagerie thermique, détecteurs de spectroscopie, substrat recommandé : InAs de type N ou P, selon la structure de l’appareil.

Électronique à haute mobilité

L’InAs offre une mobilité électronique exceptionnellement élevée et une faible masse effective d’électrons, ce qui en fait un matériau attractif pour les dispositifs électroniques à grande vitesse et à haute mobilité. Dispositifs typiques : transistors à haute mobilité Dispositifs à haute fréquence Dispositifs électroniques à faible bruit Capteurs Hall structures électroniques avancées III-V Substrat recommandé : InAs de type N pour les applications nécessitant une grande mobilité électronique.

Recherche infrarouge et optoélectronique

Les substrats InAs sont largement utilisés comme plateforme pour la recherche avancée sur les matériaux et dispositifs III-V. Applications typiques : optoélectronique infrarouge Nanostructures semi-conductrices Dispositifs quantiques Développement de matériaux épitaxiaux Photodétecteurs avancés

FAQ

Questions fréquentes sur ce produit

Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.

Pourquoi InAs est-il adapté aux dispositifs à haute mobilité ?

L’InAs possède une mobilité électronique exceptionnellement élevée et une faible masse effective électronique, ce qui le rend attractif pour les transistors à haute vitesse, les capteurs Hall et autres dispositifs électroniques à haute mobilité.

Quel wafer InAs est recommandé pour les détecteurs infrarouges ?

Les InAs de type N et de type P peuvent être utilisés pour des structures de détecteurs infrarouges. Le type de conductivité approprié dépend de l’appareil et de la conception épitaxiale.

Quel wafer InAs convient aux dispositifs électroniques à haute mobilité ?

Les InAs de type N sont couramment sélectionnés pour les applications nécessitant une grande mobilité électronique.

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