Plaquettes composées III-V

Plaquette InP

Le phosphure d’indium (InP) est un semi-conducteur composé III-V avec une bande interdite directe (1,34 eV à 300 K) et une mobilité électronique supérieure à celle du GaAs. Il offre des performances supérieures dans trois domaines clés : la RF haute fréquence (jusqu’à la plage THz), l’optoélectronique à longue longueur d’onde (1,3–1,55μm) et les circuits intégrés photoniques à faible bruit de phase.

Taille — Disponible en 2 », 3 », 4 » et 6 »
Orientation — (100), (111)
Type de conduction — Type N (dopé S), type P (dopé au Zn) et semi-isolant (dopé au Fe)
Finis de surface — SSP ou DSP, prêt pour l’épi
Emballage — Cassette à wafer unique, scellée sous vide
Livraison — Porte à porte, délai de livraison court

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Spécifications détaillées

Spécifications publiées par diamètre de plaquette.

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Paramètre	Substrat InP 2"/50,8 mm
Conduction Type	N-Type
Dopant	S
Orientation	(100) / (111)
Conductivité	Type N
Épaisseur	350±25um
TTV
Arc
Warp
EPD	≤500 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Paramètre	Substrat InP 3" / 76,2 mm
Conduction Type	N-Type
Dopant	S
Orientation	(100) / (111)
Conductivité	Type N
Épaisseur	600±25um
TTV
Arc
Warp
EPD	≤500 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Paramètre	Substrat InP 4" / 100mm
Conduction Type	N-Type
Dopant	S
Orientation	(100) / (111)
Conductivité	Type N
Épaisseur	600±25um
TTV
Arc
Warp
EPD	≤500 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Paramètre	Substrat InP 6" / 150mm
Conduction Type	N-Type
Dopant	S
Orientation	(100) / (111)
Conductivité	Type N
Épaisseur	675±25um
TTV
Arc	≤15um
Warp	≤15um
EPD	≤500 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Applications

Où cette plaquette apporte de la valeur

Communications optiques et photonique

Les plaquettes InP sont largement utilisées pour les dispositifs optoélectroniques à longue longueur d’onde fonctionnant autour des fenêtres de communication à fibre optique de 1,3 μm et 1,55 μm. Dispositifs typiques : diodes laser DFB, lasers EML, photodiodes à broches, APD, circuits intégrés photoniques, dispositifs AWG, plaquettes recommandées : InP de type N / type P / semi-isolant, selon la structure de l’appareil.

Électronique haute vitesse et RF

L’InP offre de hautes performances de transport d’électrons et est largement utilisé pour les dispositifs électroniques et RF à grande vitesse, y compris les MMIC à haute fréquence et la recherche avancée sur les semi-conducteurs. Dispositifs typiques : HBT, HEMT, MMIC haute fréquence, multiplicateurs de fréquence, détecteurs térahertz, dispositifs électroniques à grande vitesse, plaquettes recommandées : InP semi-isolant pour applications RF/MMIC ; InP conductrice pour certaines structures HBT et électroniques.

Circuits intégrés photoniques

InP est une plateforme importante pour la photonique intégrée car elle supporte à la fois les dispositifs optiques actifs et l’intégration photonique. Applications typiques : émetteurs-récepteurs optiques Interconnectés par centres de données Communications cohérentes Communications à fibre optique Circuits intégrés photoniques Modules optiques haute vitesse Plaquettes recommandées : Type N, type P ou semi-isolant selon l’épi et l’architecture du dispositif.

FAQ

Questions fréquentes sur ce produit

Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.

Quelle est la différence entre les plaquettes InP de type N, de type P et semi-isolantes ?

Les plaquettes InP de type N et P sont des substrats conducteurs couramment utilisés pour les dispositifs optoélectroniques et électroniques. L’InP semi-isolant, généralement dopé au Fe, est particulièrement adapté aux applications RF, micro-ondes et haute fréquence.

Quel wafer InP convient aux dispositifs de communication optique ?

Le type de conductivité approprié dépend du dispositif et de la structure épitaxiale. Les InP de type N, P et semi-isolants peuvent tous être utilisés pour différentes architectures de dispositifs de communication optique.

Quel wafer InP est recommandé pour les applications RF et hautes fréquences ?

L’InP semi-isolant dopé au Fe est couramment choisi pour les dispositifs RF, micro-ondes et haute fréquence en raison de sa haute résistivité et de son isolation électrique.

Pouvez-vous fournir des wafers InP pour la R&D et les projets en petits lots ?

Oui. Nous soutenons les besoins en recherche, prototypes et petits lots, sous réserve des spécifications et de la quantité de plaquettes demandées.

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