01
Communications optiques et photonique
Applications : lasers DFB, EML, photodiodes PIN, APD pour les communications à fibre optique de 1,3 à 1,55 μm. Spécification recommandée : InP de type N ou semi-isolant (dopé au Fe).
Plaquettes composées III-V
Plaquette InP
La plaquette de phosphure d’indium (InP) est un semi-conducteur composé III-V à haute mobilité, à bande interdite directe (1,34 eV). Optimisé pour les RF haute fréquence (jusqu’à THz), les communications optiques de 1,3 à 1,55 μm et les circuits intégrés photoniques (PICs) à faible bruit. Avec une faible EPD et des finitions de surface prêtes à l’épi.
- Taille — 2", 3", 4", 6”
- Orientation — (100), (111)
- Type de conduction — Type N (dopé S), type P (dopé au Zn) et semi-isolant (dopé au Fe)
- Finis de surface — SSP ou DSP, prêt pour l’épi
- EPD — ≤ 500 cm⁻²
- Emballage — Cassette à wafer unique, scellée sous vide
Spécifications détaillées
Spécifications par type de plaquette.
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Avis de contrôle des exportations
L’exportation de ce produit est réglementée par le Ministère du Commerce de la RPC (MOFCOM). Une licence d’exportation doit être obtenue avant l’expédition. Veuillez contacter notre équipe conformité pour plus de détails.
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Applications
Où cette plaquette apporte de la valeur
02
Électronique haute vitesse et RF
Applications : HBT, HEMT, MMIC HEMT, détecteurs et sources THz. Spécification recommandée : InP semi-isolant pour RF/MMIC ; InP conducteur pour HBT/Hemt.
03
Circuits intégrés photoniques (PIC)
Applications : émetteurs-récepteurs optiques, interconnexions de centres de données, communications cohérentes. Spécification recommandée : Semi-isolant ou InP de type N selon l’architecture de l’appareil.
FAQ
Questions fréquentes sur ce produit
Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.
Le type N (dopé S) et le type P (dopé au Zn) sont des substrats conducteurs pour les dispositifs optoélectroniques et électroniques. L’InP semi-isolant (dopé au Fe) présente une haute résistivité et est idéal pour les applications RF, micro-ondes et haute fréquence.
Pour les lasers DFB de 1,3 à 1,55 μm, EML et photodétecteurs, nous recommandons une plaquette InP de type N ou semi-isolante (dopée au Fe), selon la structure épitaxiale spécifique et la conception du dispositif.
L’InP semi-isolant (dopé au Fe) est principalement choisi pour les dispositifs RF, micro-ondes et THz en raison de sa haute résistivité et de son excellente isolation électrique.
Oui. Nous soutenons le prototypage R&D et les commandes en petits lots. Des orientations personnalisées, des spécifications de dopage et de préparation épidélphine sont disponibles sur demande.
Les plaquettes sont emballées dans des cassettes à wafer unique scellées sous vide dans une salle blanche certifiée ISO. Nous garantissons une livraison Fab ready avec une livraison porte-à-porte.
Gaufrette GaAs
L’arséniure de gallium (GaAs) combine une bande interdite directe avec une grande mobilité électronique, ce qui en fait un matériau substrat largement utilisé pour les dispositifs haute fréquence et optoélectroniques. Les wafers GaAs de PWG prennent en charge les MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, diodes laser et cellules solaires à haute efficacité, disponibles en plusieurs diamètres, orientations cristallines et finitions de surface prêtes pour l’épi.
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Plaquette InAs
Power Wafertech Group fournit des plaquettes de substrat arséniure d’indium (InAs) pour la détection infrarouge, l’électronique à haute mobilité et la recherche avancée sur les semi-conducteurs III-V. Les options disponibles incluent des InA de type N et P, avec des diamètres de wafer sélectionnés, des orientations cristallines et des finitions de surface pour la fabrication des dispositifs et la croissance épitaxiale.
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Plaquette GaSb
Le GaSb (antimonide de gallium) est le substrat préféré pour l’épitaxie à base d’antimonide. Doté d’une constante de réseau de 6,096 Å pour une excellente compatibilité InAs/AlSb, il est largement utilisé pour les détecteurs infrarouges de type II super-réseau (T2SL) et les lasers infrarouges moyens. Disponible en tailles 2 », 3 » et 4 » avec des finitions de surface Epi-ready.
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Plaquette InSb
InSb (antimoniure d’indium) est disponible pour les détecteurs infrarouges MWIR et les dispositifs magnétorésistifs. Des options de type N et P avec des surfaces prêtes à l’épi sont disponibles pour répondre aux besoins spécifiques de fabrication de dispositifs et de croissance épitaxiale.
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Réponse menée par l’ingénierie
Les demandes d’information sont transmises à l’équipe technique ou commerciale appropriée.
Adresse
N° 1389, route Lianmei, zone industrielle de Lianhua, Tong’an, Xiamen, Fujian 361100, Chine
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