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Explorez nos substrats semi-conducteurs composés standards et nos wafers d’épi — ou collaborez avec nos ingénieurs pour obtenir des spécifications personnalisées.

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Plaquettes épitaxiales semi-conductrices III-V

Plaquette épitaxiale semi-conductrice III-V

Hétérostructures de précision développées par MOCVD/MBE sur substrats InP, GaSb et GaAs. Conçu pour les HEMT, pHEMT, HBT, diodes laser, VCSEL et détecteurs IR haute performance. Prise en charge des structures d’épi personnalisées de la R&D à la production en volume.

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Plaquettes SiC

Substrat SiC

Plaquettes substrat SiC pour applications de puissance, RF, optoélectronique et semi-conducteurs avancés. Disponible en 4H-SiC, 6H-SiC et 3C-SiC, avec des options de type N, de type P et semi-isolantes, plusieurs tailles de plaquettes, niveaux de dopage et finitions de surface.

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Plaquettes SiC

Épitaxie SiC

Nos plaquettes épitaxiales SiC – cultivées par CVD sur des substrats SiC – offrent une uniformité bien contrôlée et une faible densité de défauts, formant une plateforme fiable pour SBD, MOSFET, JFET, IGBT, GTO, BJT, etc., de 600V à 10kV.

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Modèle AlN

AlN sur le gabarit en silicium

AlN sur des modèles en silicium fournit une interface et une plateforme tampon de haute qualité pour l’épitaxie GaN ultérieure, soutenant le développement de dispositifs d’alimentation GaN et RF haute performance.

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Modèle AlN

AlN sur le modèle Sapphire

Les gabarits AlN à base de saphir sont disponibles en plusieurs tailles de plaquettes et avec des épaisseurs et orientations personnalisables en AlN, les modèles AlN-on-saphir de haute qualité cristalline et faible densité de défauts conviennent aussi bien à la R&D qu’au développement de dispositifs.

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TROIS FAMILLES DE MATÉRIAUX DE BASE

Feuille de route des matériaux conçus pour votre appareil

Parcourez les substrats et les plaquettes d’épi par famille de matériaux. Configurations standard et spécifications personnalisées disponibles pour la R&D et la production en volume.

MATÉRIAUX CONÇUS

Semi-conducteurs composés III-V

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MATÉRIAUX DE FONDATION

Semi-conducteur à large bande interdite

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PROGRAMME SPÉCIFIQUE

Matériaux silicium

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APPLICATIONS & INDUSTRIES

Applications et industries

CAS 01 / SYSTÈMES HAUTE TENSION

Électronique de puissance

Solutions de wafers à large bande interdite conçues pour des architectures 800V+. Garantir une conversion de puissance à haute efficacité, une commutation rapide et un fonctionnement fiable à haute température.

FOCUS SUR L’APPLICATION

Groupes motopropulseurs EV · Charge rapide · Entraînements à moteur industriel

PRODUITS RECOMMANDÉS

4H-SiC GaN

CAS 02 / SYSTÈMES OPTIQUES

Photonique & LED

Matériaux conçus pour LED, diodes laser (LD) et photodétecteurs. Prise en charge des applications allant de l’éclairage Micro-LED et UV aux communications optiques 1,3–1,55μm et aux PICs.

FOCUS SUR L’APPLICATION

LED · Diodes laser · Communications optiques

PRODUITS RECOMMANDÉS

GaN GaAs InP

CAS 03 / SYSTÈMES DE PRÉCISION

Capteurs & MEMS

Substrats conçus pour MEMS, capteurs inertiels et applications en environnements hostiles. Garantir des performances à faible bruit, un contrôle strict de l’épaisseur et une intégration fiable.

FOCUS SUR L’APPLICATION

MEMS automobiles · Capteurs inertiels · Environnements hostiles

PRODUITS RECOMMANDÉS

Silicium à haute résistance 4H-SiC AlN

CAS 04 / SYSTÈMES À HAUTE FRÉQUENCE

RF & Communications

Plaquettes semi-conductrices composées pour des performances RF à faible perte et à haute linéarité. Prise en charge des applications 5G/6G, mmWave et SATCOM.

FOCUS SUR L’APPLICATION

Avant-ends 5G/6G · mmWave / SATCOM · Amplificateurs de puissance RF

PRODUITS RECOMMANDÉS

SiC semi-isolant Gaufrettes GaN Epi InP GaAs

CAS 05 / SYSTÈMES ÉMERGENTS

Recherche et technologies émergentes

Renforcer la R&D en phase initiale grâce à l’ingénierie des matériaux sur mesure.

FOCUS SUR L’APPLICATION

Laboratoires de recherche · Prototypes · Matériaux émergents

PRODUITS RECOMMANDÉS

Plaquettes personnalisées Plaquettes de qualité recherche

PROCESSUS D’ENGAGEMENT

Comment une demande personnalisée progresse

Soumettez vos exigences spécifiques au programme et nos ingénieurs les accompagneront de l’évaluation à un devis confirmé.

INGÉNIERIE PERSONNALISÉE

Paramètres au-delà de la liste standard

Diamètre et épaisseur personnalisés

Orientation et découpage

Dopage et résistivité

Films minces et empilements de couches

Profil de surface et d’arêtes

Marquage et emballage

01Exigences de soumission

02Revue technique

03Alignement des spécifications

04Estimation et délai d’exécution

Parlez à un ingénieur

ENQUÊTE TECHNIQUE

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