Plaquettes composées III-V

Plaquette InSb

Avec un gap de bande directe ultra-étroit d’environ 0,17 eV à 300 K et une mobilité électronique exceptionnellement élevée, InSb est particulièrement adapté à la détection infrarouge à moyenne longueur d’onde (MWIR) dans la plage de 3 à 5 μm. PWG fournit des plaquettes d’antimonide d’indium (InSb) de type N et P pour la détection infrarouge à haute sensibilité, la détection magnétique et l’électronique cryogénique.

Taille — 2 » et 3 »
Orientation — (100), (111)
Conduction Type — Type N (Dopé Te) et Type P (Doppé Ge)
Finition de surface — SSP ou DSP, prêt pour l’épi
Emballage — Cassette à wafer unique, scellée sous vide

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Spécifications détaillées

Spécifications publiées par diamètre de plaquette.

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Paramètre	Substrat InSb de 2" (50,8 mm)
Type de conduction	N-Type
Dopant	Te
Orientation	(100) / (111)
Épaisseur	625±25um
Concentration de porteuse	2,5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤100 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Paramètre	Substrat InSb de 3" (76,2 mm)
Type de conduction	N-Type
Dopant	Te
Orientation	(100) / (111)
Épaisseur	800/900±25
Concentration de porteuse	2,5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤100 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Paramètre	Substrat InSb de 4" (100 mm)
Type de conduction	N-Type
Dopant	Te
Orientation	(100) / (111)
Épaisseur	1000±25um
Concentration de porteuse	2,5 × 10¹⁵–1 × 10¹⁸ cm⁻³
EPD	≤100 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Applications

Où cette plaquette apporte de la valeur

Détection infrarouge MWIR

InSb est particulièrement adapté à la détection infrarouge à moyenne longueur d’onde autour de 3–5 μm, ce qui en fait une plateforme de matériau établie pour les détecteurs infrarouges refroidis à haute sensibilité. Dispositifs typiques : Photodétecteurs MWIR Réseaux de plans focaux infrarouges (FPA) Détecteurs d’imagerie infrarouge Capteurs de détection de gaz Détecteurs de spectroscopie Applications typiques : Imagerie thermique Surveillance infrarouge Analyse des gaz Surveillance industrielle Instrumentation scientifique Substrat recommandé : InSb de type N ou type P selon la structure du détecteur.

Capteurs magnétiques

La grande mobilité électronique et la forte réponse magnétorésistive de l’InSb le rendent adapté aux dispositifs sensibles de détection magnétique. Dispositifs typiques : capteurs Hall capteurs magnétorésistifs détecteurs de champ magnétique substrat recommandé : L’InSb de type N est généralement préféré pour les applications de détection Hall et magnétique à haute mobilité.

Électronique cryogénique et à haute mobilité

La grande mobilité électronique et la bande interdite étroite d’InSb le rendent utile pour la recherche électronique avancée, en particulier dans des conditions de fonctionnement à basse température. Applications typiques : Électronique cryogénique Recherche sur les transistors à haute mobilité Dispositifs semi-conducteurs basse température Recherche électronique avancée III-V

FAQ

Questions fréquentes sur ce produit

Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.

Quelle plage de longueurs d’onde InSb est-il utilisé ?

InSb est largement utilisé pour la détection de MWIR dans la fenêtre atmosphérique d’environ 3 à 5 μm, en particulier dans les systèmes de détection infrarouge refroidis.

Quel wafer InSb est recommandé pour les détecteurs MWIR ?

Les InSb de type N et P peuvent être utilisés selon l’architecture du détecteur et les exigences épitaxiales ou de dispositifs.

Quel wafer InSb convient aux capteurs Hall ?

L’InSb de type N est couramment choisi pour les capteurs Hall et autres dispositifs de détection magnétique à haute mobilité.

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