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Substrats InSb avec EPD
Substrats InSb avec EPD
Substrats InSb avec EPD
Avec une bande interdite étroite d’environ 0,17 eV à 300 K, InSb est idéal pour la détection de MWIR dans la plage de 3 à 5 μm. Les applications typiques incluent les détecteurs infrarouges refroidis, les réseaux de plans focaux (FPA), l’imagerie thermique et la détection des gaz.
La plaquette InSb combine une grande mobilité électronique avec de fortes propriétés magnétorésistives, ce qui la rend adaptée à la détection magnétique sensible. Les applications incluent les capteurs à effet Hall, les détecteurs de champ magnétique et les dispositifs de détection de position ou de courant.
La bande interdite étroite et la mobilité électronique exceptionnellement élevée d’InSb en font un attrait pour la recherche avancée sur les semi-conducteurs. Les applications incluent les transistors à haute mobilité, l’électronique cryogénique et le développement de dispositifs III–V à basse température.
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InSb est largement utilisé pour la détection de MWIR dans la fenêtre atmosphérique d’environ 3 à 5 μm, en particulier dans les systèmes de détection infrarouge refroidis.
Les InSb de type N et P peuvent être utilisés selon l’architecture du détecteur et les exigences épitaxiales ou de dispositifs.
L’InSb de type N est couramment choisi pour les capteurs Hall et autres dispositifs de détection magnétique à haute mobilité en raison de sa mobilité électronique exceptionnelle.
La plaquette de phosphure d’indium (InP) est un semi-conducteur composé III-V à haute mobilité, à bande interdite directe (1,34 eV). Optimisé pour les RF haute fréquence (jusqu’à THz), les communications optiques de 1,3 à 1,55 μm et les circuits intégrés photoniques (PICs) à faible bruit. Avec une faible EPD et des finitions de surface prêtes à l’épi.
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L’arséniure de gallium (GaAs) combine une bande interdite directe avec une grande mobilité électronique, ce qui en fait un matériau substrat largement utilisé pour les dispositifs haute fréquence et optoélectroniques. Les wafers GaAs de PWG prennent en charge les MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, diodes laser et cellules solaires à haute efficacité, disponibles en plusieurs diamètres, orientations cristallines et finitions de surface prêtes pour l’épi.
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Power Wafertech Group fournit des plaquettes de substrat arséniure d’indium (InAs) pour la détection infrarouge, l’électronique à haute mobilité et la recherche avancée sur les semi-conducteurs III-V. Les options disponibles incluent des InA de type N et P, avec des diamètres de wafer sélectionnés, des orientations cristallines et des finitions de surface pour la fabrication des dispositifs et la croissance épitaxiale.
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Le GaSb (antimonide de gallium) est le substrat préféré pour l’épitaxie à base d’antimonide. Doté d’une constante de réseau de 6,096 Å pour une excellente compatibilité InAs/AlSb, il est largement utilisé pour les détecteurs infrarouges de type II super-réseau (T2SL) et les lasers infrarouges moyens. Disponible en tailles 2 », 3 » et 4 » avec des finitions de surface Epi-ready.
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