PWG propose des solutions épitaxiales basées sur des substrats InP, GaSb et GaAs, couvrant les hétérostructures pour les HEMT, pHEMT, HBT, diodes laser, photodétecteurs, VCSEL, détecteurs infrarouges et autres dispositifs III-V.

Avec un gap de bande directe ultra-étroit d’environ 0,17 eV à 300 K et une mobilité électronique exceptionnellement élevée, InSb est particulièrement adapté à la détection infrarouge à moyenne longueur d’onde (MWIR) dans la plage de 3 à 5 μm. PWG fournit des plaquettes d’antimonide d’indium (InSb) de type N et P pour la détection infrarouge à haute sensibilité, la détection magnétique et l’électronique cryogénique.

Le phosphure d’indium (InP) est un semi-conducteur composé III-V avec une bande interdite directe (1,34 eV à 300 K) et une mobilité électronique supérieure à celle du GaAs. Il offre des performances supérieures dans trois domaines clés : la RF haute fréquence (jusqu’à la plage THz), l’optoélectronique à longue longueur d’onde (1,3–1,55μm) et les circuits intégrés photoniques à faible bruit de phase.

Avec une bande passante directe étroite d’environ 0,354 eV à 300 K et une mobilité électronique exceptionnellement élevée, les InA conviennent parfaitement aux détecteurs infrarouges, capteurs Hall, transistors à haute vitesse et autres dispositifs à haute mobilité.

Avec une constante de réseau d’environ 6,096 Å, GaSb (antimonide de gallium) offre une excellente compatibilité de réseau avec des matériaux à base d’antimonide tels que InAs, AlSb et InAsSb, ce qui en fait une plateforme substrataire importante pour les détecteurs infrarouges super-réseau de type II (T2SL), les lasers mid-IR et les dispositifs optoélectroniques avancés. Les plaquettes GaSb sont disponibles en plusieurs diamètres, orientations cristallines et finitions de surface pour la croissance épitaxiale et la fabrication des dispositifs.

L’arséniure de gallium (GaAs) combine une bande interdite directe avec une grande mobilité électronique, ce qui en fait un matériau substrat largement utilisé pour les MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, diodes laser, LED et cellules solaires à haute efficacité. Les plaquettes GaAs existent en plusieurs diamètres, orientations cristallines et finitions de surface.