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Explorez nos substrats semi-conducteurs composés standards et nos wafers d’épi — ou collaborez avec nos ingénieurs pour obtenir des spécifications personnalisées.
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Plaquettes composées III-V
La plaquette de phosphure d’indium (InP) est un semi-conducteur composé III-V à haute mobilité, à bande interdite directe (1,34 eV). Optimisé pour les RF haute fréquence (jusqu’à THz), les communications optiques de 1,3 à 1,55 μm et les circuits intégrés photoniques (PICs) à faible bruit. Avec une faible EPD et des finitions de surface prêtes à l’épi.
Plaquettes composées III-V
L’arséniure de gallium (GaAs) combine une bande interdite directe avec une grande mobilité électronique, ce qui en fait un matériau substrat largement utilisé pour les dispositifs haute fréquence et optoélectroniques. Les wafers GaAs de PWG prennent en charge les MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, diodes laser et cellules solaires à haute efficacité, disponibles en plusieurs diamètres, orientations cristallines et finitions de surface prêtes pour l’épi.
Plaquettes composées III-V
Power Wafertech Group fournit des plaquettes de substrat arséniure d’indium (InAs) pour la détection infrarouge, l’électronique à haute mobilité et la recherche avancée sur les semi-conducteurs III-V. Les options disponibles incluent des InA de type N et P, avec des diamètres de wafer sélectionnés, des orientations cristallines et des finitions de surface pour la fabrication des dispositifs et la croissance épitaxiale.
Plaquettes composées III-V
Le GaSb (antimonide de gallium) est le substrat préféré pour l’épitaxie à base d’antimonide. Doté d’une constante de réseau de 6,096 Å pour une excellente compatibilité InAs/AlSb, il est largement utilisé pour les détecteurs infrarouges de type II super-réseau (T2SL) et les lasers infrarouges moyens. Disponible en tailles 2 », 3 » et 4 » avec des finitions de surface Epi-ready.
Plaquettes composées III-V
La plaquette InSb (antimonide d’indium) est disponible pour les détecteurs infrarouges MWIR et les dispositifs magnétorésistifs. Des options de type N et P avec des surfaces prêtes à l’épi sont disponibles pour répondre aux besoins spécifiques de fabrication de dispositifs et de croissance épitaxiale.
Plaquettes épitaxiales semi-conductrices III-V
Hétérostructures de précision développées par MOCVD/MBE sur substrats InP, GaSb et GaAs. Conçu pour les HEMT, pHEMT, HBT, diodes laser, VCSEL et détecteurs IR haute performance. Prise en charge des structures d’épi personnalisées de la R&D à la production en volume.
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TROIS FAMILLES DE MATÉRIAUX DE BASE
Parcourez les substrats et les plaquettes d’épi par famille de matériaux. Configurations standard et spécifications personnalisées disponibles pour la R&D et la production en volume.
MATÉRIAUX CONÇUS
MATÉRIAUX DE FONDATION
PROGRAMME SPÉCIFIQUE
APPLICATIONS & INDUSTRIES
CAS 01 / SYSTÈMES HAUTE TENSION
Solutions de wafers à large bande interdite conçues pour des architectures 800V+. Garantir une conversion de puissance à haute efficacité, une commutation rapide et un fonctionnement fiable à haute température.
FOCUS SUR L’APPLICATION
Groupes motopropulseurs EV · Charge rapide · Entraînements à moteur industriel
PRODUITS RECOMMANDÉS
PROCESSUS D’ENGAGEMENT
Soumettez vos exigences spécifiques au programme et nos ingénieurs les accompagneront de l’évaluation à un devis confirmé.
INGÉNIERIE PERSONNALISÉE
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