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L’exportation de ce produit est réglementée par le Ministère du Commerce de la RPC (MOFCOM). Une licence d’exportation doit être obtenue avant l’expédition.
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GaSb fournit une plateforme adaptée en réseau pour les superréseaux InAs/GaSb de type II (T2SL), permettant l’ingénierie de la bande passante sur un large spectre infrarouge. Dispositifs typiques : détecteurs T2SL, détecteurs MWIR/LWIR/VLWIR, réseaux de plans focaux infrarouges (FPA). Applications : imagerie thermique, détection de gaz, spectroscopie, défense et aérospatiale.
Substrat essentiel pour les lasers mid-IR à base d’antimonide et les structures photoniques. Dispositifs typiques : diodes laser infrarouges moyennes, LED IR, dispositifs photoniques à base d’antimonide, structures de puits quantique et de superréseau. Applications : détection de gaz, surveillance environnementale, diagnostic médical, spectroscopie moléculaire.
La bande interdite étroite de GaSb la rend idéale pour les cellules TPV convertissant le rayonnement thermique en énergie électrique. Applications : récupération de chaleur résiduelle, récupération industrielle d’énergie, conversion thermique-électrique, systèmes d’alimentation radioisotopiques.
Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.
GaSb fournit une plateforme parfaitement adaptée en réseau pour les structures InAs/GaSb et les superréseaux de type II apparentés. Cela permet une croissance épitaxiale sans contrainte et une ingénierie précise de bande interdite pour la détection infrarouge sur les plages spectrales MWIR, LWIR et VLWIR.
Les substrats GaSb de type N et de type P peuvent être utilisés pour les détecteurs T2SL. Le GaSb de type N est généralement sélectionné lorsqu’un substrat conducteur électrique est nécessaire pour la fabrication du dispositif. Le GaSb de type P est souvent utilisé pour des architectures spécifiques de détecteurs.
Oui. PWG est adapté à la R&D pour le prototypage. Nous soutenons la personnalisation rapide des orientations, du dopage et des tailles pour répondre aux besoins de vos appareils.
La plaquette de phosphure d’indium (InP) est un semi-conducteur composé III-V à haute mobilité, à bande interdite directe (1,34 eV). Optimisé pour les RF haute fréquence (jusqu’à THz), les communications optiques de 1,3 à 1,55 μm et les circuits intégrés photoniques (PICs) à faible bruit. Avec une faible EPD et des finitions de surface prêtes à l’épi.
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L’arséniure de gallium (GaAs) combine une bande interdite directe avec une grande mobilité électronique, ce qui en fait un matériau substrat largement utilisé pour les dispositifs haute fréquence et optoélectroniques. Les wafers GaAs de PWG prennent en charge les MMIC, HEMT, HBT, VCSEL, diodes laser et cellules solaires à haute efficacité, disponibles en plusieurs diamètres, orientations cristallines et finitions de surface prêtes pour l’épi.
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Power Wafertech Group fournit des plaquettes de substrat arséniure d’indium (InAs) pour la détection infrarouge, l’électronique à haute mobilité et la recherche avancée sur les semi-conducteurs III-V. Les options disponibles incluent des InA de type N et P, avec des diamètres de wafer sélectionnés, des orientations cristallines et des finitions de surface pour la fabrication des dispositifs et la croissance épitaxiale.
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InSb (antimoniure d’indium) est disponible pour les détecteurs infrarouges MWIR et les dispositifs magnétorésistifs. Des options de type N et P avec des surfaces prêtes à l’épi sont disponibles pour répondre aux besoins spécifiques de fabrication de dispositifs et de croissance épitaxiale.
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