Plaquettes composées III-V

Plaquette GaSb

Avec une constante de réseau d’environ 6,096 Å, GaSb (antimonide de gallium) offre une excellente compatibilité de réseau avec des matériaux à base d’antimonide tels que InAs, AlSb et InAsSb, ce qui en fait une plateforme substrataire importante pour les détecteurs infrarouges super-réseau de type II (T2SL), les lasers mid-IR et les dispositifs optoélectroniques avancés. Les plaquettes GaSb sont disponibles en plusieurs diamètres, orientations cristallines et finitions de surface pour la croissance épitaxiale et la fabrication des dispositifs.

Taille — 2 », 3 » et 4 »
Orientation — (100), (111)
Type de conduction — Type N (Dopé Te) et Type P (Doppé au Zn)
Finition de surface — SSP ou DSP, prêt pour l’épi
Emballage — Cassette à wafer unique, scellée sous vide

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Spécifications détaillées

Spécifications publiées par diamètre de plaquette.

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Paramètre	Substrat GaSb de 2" (50,8 mm)
Type de conduction	N-Type
Dopant	Te
Orientation	(100) / (111)
Épaisseur	500±25
TTV
Arc
Warp
Mobilité	2 000–3 500 cm²/V·s
Concentration de porteuse	(1–20) × 10¹⁷ cm⁻³
EPD	≤2 000 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Paramètre	Substrat GaSb de 3" (76,2 mm)
Type de conduction	N-Type
Dopant	Te
Orientation	(100) / (111)
Épaisseur	600±25um
TTV
Arc
Warp
Mobilité	2 000–3 500 cm²/V·s
Concentration de porteuse	(1–20) × 10¹⁷ cm⁻³
EPD	≤2 000 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Paramètre	Substrat en GaSb de 4" (100 mm)
Type de conduction	N-Type
Dopant	Te
Orientation	(100) / (111)
Épaisseur	800±25
TTV
Arc
Warp
Mobilité	2 000–3 500 cm²/V·s
Concentration de porteuse	(1–20) × 10¹⁷ cm⁻³
EPD	≤2 000 cm⁻²
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Plat	Norme SEMI
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Applications

Où cette plaquette apporte de la valeur

Détecteurs infrarouges super-réseau de type II

GaSb fournit une plateforme de réseau adaptée pour les structures InAs/GaSb et les structures super-réseau de type II apparentées, permettant l’ingénierie de bande interdite sur une large gamme de longueurs d’onde infrarouges. Dispositifs typiques : Détecteurs de type II à superréseau (T2SL), détecteurs infrarouges MWIR, détecteurs LWIR / VLWIR, réseaux de plans focaux infrarouges (FPA) Applications typiques : Imagerie thermique, détection infrarouge, détection de gaz, spectroscopie, défense et imagerie aérospatiale. Substrat recommandé : GaSb de type N ou type P selon l’épitaxie et la structure du dispositif.

Lasers infrarouge moyen & photonique

Le GaSb est un matériau substrat important pour les lasers mid-infrarouge à base d’antimonide et les structures optoélectroniques. Dispositifs typiques : Diodes laser à infrarougeur moyen LED LED IR dispositifs photoniques à antimonide Structures de puits quantiques et de superréseau Applications typiques : Détection de gaz, surveillance environnementale Diagnostic médical Spectroscopie moléculaire Substrat recommandé : Le GaSb de type N est couramment choisi lorsqu’un substrat conducteur électrique est nécessaire pour la fabrication du dispositif.

Applications thermophotovoltaïques

La bande passante relativement étroite de GaSb la rend adaptée aux cellules thermophotovoltaïques (TPV) conçues pour convertir le rayonnement thermique en énergie électrique. Applications typiques : récupération de chaleur résiduelle Récupération industrielle d’énergie Conversion thermique-électrique Systèmes de puissance radioisotopiques Substrat recommandé : GaSb de type P pour certaines structures de dispositifs photovoltaïques.

FAQ

Questions fréquentes sur ce produit

Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.

Pourquoi GaSb est-il utilisé pour les détecteurs de superréseau de type II ?

GaSb fournit une plateforme en réseau adaptée pour les structures InAs/GaSb et les structures super-réseau de type II apparentées, permettant l’ingénierie de bande interdite infrarouge via la conception d’hétérostructures.

Quelle plaquette GaSb convient aux détecteurs infrarouges T2SL ?

Les GaSb de type N et de type P peuvent être utilisés. Le type de conductivité approprié dépend de l’épitaxiale T2SL spécifique et de l’architecture du dispositif.

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