SCIENCE DES MATÉRIAUX · FABRICATION DE PRÉCISION
Substrats semi-conducteurs composés & wafers d’épi
De la R&D à la production en grande quantité. PWG fournit des wafers SiC, GaN, AlN, InP, GaAs, GaSb, InSb et des plaquettes spécialisées avec un contrôle qualité strict et des délais de livraison rapides.
Plaquettes de substrat
Plaquettes épitaxiales
Plaquettes spéciales · Soutien technique
À PROPOS DE POWER WAFERTECH GROUP
Plaquettes de précision ingénierées
Power Wafertech Group (PWG) est un fabricant de matériaux à cycle complet de substrats semi-conducteurs composés et de plaquettes épitaxiales, notamment SiC, GaN, InP, GaAs, GaSb et InSb. Nous contrôlons les processus de base — de la croissance des cristaux et la fabrication des substrats à la déposition épitaxiale — garantissant la sécurité de la chaîne d’approvisionnement et une cohérence stricte des matériaux.
Nous soutenons des clients mondiaux avec une stricte conformité aux spécifications, une traçabilité complète par lots et un support rapide d’ingénieur à ingénieur. Du prototypage R&D à la production répétée, nous livrons des documents documentés et de haute qualité pour vos programmes d’appareil.
Nous soutenons des clients mondiaux avec une stricte conformité aux spécifications, une traçabilité complète par lots et un support rapide d’ingénieur à ingénieur. Du prototypage R&D à la production répétée, nous livrons des documents documentés et de haute qualité pour vos programmes d’appareil.
Découvrez notre approche d’ingénierie
LIVRAISON DIRIGÉE PAR L’INGÉNIERIE
De l’évaluation initiale des matériaux à la reproduction.
25+
Années d’expérience dans l’industrie
Expérience dans l’industrie
500+
Clients desservis
Programmes clients desservis
4
Production Sites
Réseau de fabrication
QA
Documentation de qualité
Portée confirmée par demande
PORTEFEUILLE DE PRODUITS
Substrats & Plaquettes épitaxiales
Trois familles de produits spécialisées : substrats standards et personnalisés, plaquettes épitaxiales, et configurations spécialisées pour des programmes d’appareils exigeants.
Plaquettes de substrat
Substrats à faible défaut pour une fabrication exigeante des dispositifs.
MATÉRIAUX
SiC · GaN · AlN · GaAs · InP · GaSb · InSb · Silicium
APPLICATIONS
Dispositifs d’alimentation · RF · Photonique · Capteurs
Plaquettes épitaxiales
Croissance épitaxiale précise avec une épaisseur serrée et un contrôle du dopage.
STRUCTURES
Basé sur le SiC · Basé sur GaN · Basé sur GaAs · Basé sur InP · Basé sur GaSb
SOUTIEN AU PROGRAMME
MOCVD / MBE · Prototypage rapide · Volume Production
Plaquettes personnalisées et spéciales
Plaquettes sur mesure pour des spécifications non standard et des programmes de dispositifs spécialisés.
CAPACITÉS DE TRAITEMENT
Polissage · Découpage de wafer · Éclaircissement · Revêtement
SPÉCIFICATIONS PERSONNALISÉES
Tailles non standard · Structures personnalisées
À REPÉRER PAR APPLICATION
Applications et industries
Matériaux conçus sur mesure pour vos besoins en tension, thermique et fabrication.
CANDIDATURE SÉLECTIONNÉE
Électronique de puissance
Optimisé pour les dispositifs de puissance haute tension et haute efficacité. Soutenir des applications exigeantes telles que les groupes motopropulseurs pour VE, les onduleurs d’énergie renouvelable et les alimentations électriques de centres de données IA.
SOLUTIONS RECOMMANDÉES
SiC · GaN
Explorez les solutions énergétiques
POURQUOI POWER WAFERTECH
Plus qu’un simple fournisseur de plaquettes
De la spécification personnalisée à la reproduction. Nous fournissons la collaboration en ingénierie et la sécurité de la chaîne d’approvisionnement dont votre programme a besoin.
01
Personnalisation menée par l’ingénierie
Des matériaux personnalisés adaptés aux spécifications de votre appareil. Nous définissons des paramètres précis — dimensions, orientation et finition de surface — pour correspondre précisément à vos besoins d’application.
02
Soutien du développement à la production
Une montée en puissance sans faille de la R&D à la production de masse. Combler ce fossé grâce au prototypage rapide, aux séries flexibles à faible volume et à la fabrication répétée sécurisée.
03
Qualité et traçabilité contrôlées
Inspection 100 % en cours avec traçabilité complète par lots. Un contrôle rigoureux des procédés et des données de tests documentées garantissent une qualité constante et un approvisionnement sûr et à long terme.
INGÉNIERIE & FABRICATION
Processus de précision.
Contrôlé à chaque étape.
Contrôlé à chaque étape.
Fabrication entièrement intégrée verticalement. De la croissance cristalline à la croissance épitaxiale, nous maintenons un contrôle strict des procédés à chaque étape afin d’assurer une qualité optimale des matériaux et des performances optimales de l’appareil.
Tout explorer
01. Croissance cristalline
Contrôle précis du dopage et de la stœchiométrie en utilisant des méthodes avancées de croissance en vrac (par exemple, PVT, LEC, VGF) pour minimiser les défauts dès le départ.
02. Préparation du substrat
Découpage, meulage et polissage CMP avancés pour obtenir une rugosité de surface sub-nanométrique, un contrôle strict TTV/Bow/Warp, et des surfaces prêtes à l’épi.
03. Croissance épitaxiale
Les capacités MOCVD et MBE assurent une épaisseur serrée, une uniformité de dopage et de faibles densités de défauts à la structure de votre dispositif.
04. Inspection qualité
Inspection complète utilisant la cartographie XRD, AFM et PL. La traçabilité complète en lots avec emballage en salle blanche garantit un transfert sécurisé et à haut rendement.
CONTINUITÉ DU PROGRAMME
Contrôle des spécifications, documentation complète et traçabilité au niveau batch de la R&D à la production.
QUALITÉ ET SUPPORT DES PROGRAMMES
Qualité intégrée. Soutien technique de bout en bout.
La qualité est intégrée à chaque étape — de la sélection des matériaux entrants et du contrôle des procédés SPC jusqu’aux tests finaux. Nous fournissons une documentation complète, un respect strict des spécifications et un accompagnement réactif d’ingénieur à ingénieur pour garantir une transition fluide du prototype à la production en volume.
Processus de qualité certifiés ISO 9001
Traçabilité par lots & CoC
Rapports d’essais complets & CoA
Soutien rapide ingénieur à ingénieur
Parlez à un ingénieur
COLLABORATION FIABLE
Soutien à l’industrie, à la recherche et aux technologies émergentes
Accélérer l’innovation matérielle de la R&D à la production de masse. Partenariat avec des leaders du secteur et des institutions de recherche sur mesure de wafers, de fabrication spécialisée et d’approvisionnement sécurisé en volume.
PROGRAMMES DANS L’INDUSTRIE
Évolutif du prototype à la production en série
Permettre aux fabricants de semi-conducteurs des spécifications personnalisées, du prototypage rapide et des chaînes d’approvisionnement sécurisées et à fort volume.
COLLABORATION DE RECHERCHE
Matériaux personnalisés pour la recherche spécialisée
Partenariat avec des instituts de recherche de premier plan sur l’évaluation de matériaux novateurs, l’épitaxie personnalisée et la fabrication de plaquettes non standard pour accélérer les avancées scientifiques.
PROJETS TECHNOLOGIQUES ÉMERGENTS
Soutien flexible pour les programmes en phase initiale
Fourniture de pilotes flexibles à faible volume, de prototypage rapide et de conseils techniques experts pour les programmes confidentiels sous stricte protection de la NDA.
Réseau de collaboration
Digne de confiance par les leaders mondiaux de l’industrie et les institutions de recherche de premier plan.
ACTUALITÉS & ANALYSES
Dernières nouveautés de Power Wafertech
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Tendances du secteur
2026-09-01 14:19:48
Les substrats SiC de 8 pouces passent du pilote au courant principal. Explorez les implications de l’offre, des prix et de l’épitaxie pour les fabricants d’appareils électriques en 2026.
Tendances du secteur
2026-09-01 14:20:09
Les racks AI passent de 10 kW à plus de 100 kW. Voyez comment l’architecture HVDC 800 V répartit la demande entre SiC et GaN, et ce que cela signifie pour les spécifications de l’épiwafer.
Informations techniques
2026-10-23 17:24:21
L’épaisseur de la couche d’espacement influence fortement le bruit cryogénique dans les HEMT InP, avec un équilibre optimisé des valeurs pour la mobilité, le contrôle des portes et le transfert en espace réel. Le dopage et la stabilité de la couche de condensation doivent également être conçus conjointement avec les procédés de métallisation et de décollage afin de maintenir une faible résistance de contact.
ENQUÊTE TECHNIQUE
Parlez aux ingénieurs de vos besoins en wafer
Soumettez votre matériel, vos spécifications et l’étape du projet. Notre équipe d’ingénierie répondra dans un délai d’un jour ouvré.
Soutien direct ingénieur à ingénieur
Votre demande est directement adressée à notre équipe technique pour une réponse rapide et compétente.
Adresse
N° 1389, route Lianmei, zone industrielle de Lianhua, Tong’an, Xiamen, Fujian 361100, Chine
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