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Électronique de puissance GaN
Les modèles AlN-on-silicon peuvent être utilisés comme plateforme tampon pour les dispositifs d’alimentation GaN-on-Si, y compris les HEMT GaN et les dispositifs de commutation à haute efficacité.
Modèle AlN
AlN sur le gabarit en silicium
AlN sur des modèles en silicium fournit une interface et une plateforme tampon de haute qualité pour l’épitaxie GaN ultérieure, soutenant le développement de dispositifs d’alimentation GaN et RF haute performance.
- Substrat — Silicium (100) ou (111)
- Taille — 4 », 6 », 8 », personnalisable
- Épaisseur de l’épi — 50nm~1μm
- Finis de surface — Epi-Ready
- XRD FWHM (0002) — Arc sec typique ≤1050
- Spécification personnalisée — acceptable
- Package — Cassette à wafer unique, scellée sous vide
Spécifications détaillées
Spécifications publiées par diamètre de plaquette.
Select a diameter to review the corresponding published specification set.
* Spécifications typiques ; Les valeurs réelles peuvent varier selon la taille de la plaquette, le substrat et les conditions de croissance.
Applications
Où cette plaquette apporte de la valeur
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Dispositifs RF GaN
Les gabarits AlN-on-silicium peuvent également prendre en charge certaines structures de dispositifs GaN RF et haute fréquence, selon la conception épitaxiale globale. Les applications typiques incluent :
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Épitaxie GaN HEMT
Les modèles fournissent une interface AlN contrôlée pour la croissance épitaxiale ultérieure de GaN / AlGaN, les rendant adaptés à la recherche et au développement de structures GaN HEMT.
FAQ
Questions fréquentes sur ce produit
Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.
L’épaisseur typique de l’AlN varie de 50 nm à 1 μm, et peut être personnalisée selon l’architecture épitaxiale du GaN.
Oui. De petites quantités et des spécifications personnalisées peuvent être discutées pour la recherche et les projets de prototypes.
Veuillez indiquer le diamètre de la plaquette, l’orientation du silicium, l’épaisseur de l’AlN, la quantité et l’application cible. Nous pourrons alors recommander une spécification et un devis appropriés.
AlN sur le modèle Sapphire
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Réponse menée par l’ingénierie
Les demandes d’information sont transmises à l’équipe technique ou commerciale appropriée.
Adresse
N° 1389, route Lianmei, zone industrielle de Lianhua, Tong’an, Xiamen, Fujian 361100, Chine
Téléphone
