Plaquettes SiC

Substrat SiC

Plaquettes de substrat SiC premium pour les dispositifs de puissance, RF et optoélectronique. Disponible en polytypes 4H, 6H et 3C avec des options de type N, type P et semi-isolantes. Proposé en tailles 2"–12 » avec des finitions Epi-ready pour la fabrication avancée de semi-conducteurs.

Polytypes — 4H-SiC · 6H-SiC · 3C-SiC
Conductivité — Type N · P-type · Semi-isolant
Options de dopage — N-dopé · Al-doped · V-dopé
Tailles — 2″ · 3″ · 4″ · 6″· 8″· 12″
Surface — SSP · DSP · Épi-ready
Emballage — Cassette à wafer unique, scellée sous vide

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Spécifications détaillées

Spécifications par type de plaquette.

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Paramètre	Substrat 4H-SiC 8"/200 mm
Polytype	4H
Diamètre	200±0,2 mm
Épaisseur	350±25μm, 500±25μm
Orientation	4° vers (11-20) ±0,5°
Conduction Type	Type N
Dopant	Azote (N)
Résistivité	0,015~0,03Ω·cm
MPD	≤2ea/cm² (grade A) ; ≤10ea/cm² (grade B) ; ≤50ea/cm² (grade C)
TTV	≤10μm (grade A) ; ≤15μm (grade B) ; ≤20μm (grade C)
Arc	-25~25μm (grade A) ; -45~45μm (grade B) ; -65~65μm (grade C)
Warp	≤35μm (grade A) ; ≤50μm (grade B) ; ≤70μm (grade C)
Ruguosité de surface	Si-face CMP Ra ≤0,2 nm ; Polish optique C-face
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épi
Emballage	Cassette simple ou multi-wafer, sous vide

Paramètre	Substrat 4H-SiC de 6"/150 mm
Polytype	4H	4H	4H
Diamètre	150 ± 0,5 mm	145,5 ~ 150 mm	145,5 ~ 150 mm
Épaisseur	350±25μm, 500±25μm	350 ± 25μm	350 ± 25μm
Orientation	4° vers (11-20) ±0,5°	4° vers (11-20) ±0,5°	2~4° vers (11-20) ±0,5°
Conduction Type	Type N	Semi-isolant	Type P
Dopant	Azote (N)	Vanadium (V)	Aluminium (Al)
Résistivité	0,015 – 0,028Ω·cm	≥1×10⁸Ω·cm	≤0,3Ω·cm
MPD	≤0,5 cm⁻²	≤1 cm⁻²
TTV		≤5μm	≤5μm
Arc		–25~25μm	≤15μm
Warp		≤35μm	≤30μm
Ruguosité de surface	Si-face CMP Ra ≤0,2 nm ; Polish optique C-face
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épinéphrine
Emballage	Cassette simple ou multi-wafer, sous vide

Paramètre	Substrat SiC 4"/100 mm
Polytype	4H	4H	4H	3C (cubique)
Épaisseur	330 – 650μm	350 – 500μm	250 – 430μm	350±25μm
Orientation	4° vers (11-20) ±0,5°	4° vers (11-20) ±0,5°	2~4° vers (11-20) ±0,5°	Axe sur axe (111) ±0,5°
Conduction Type	Type N	Semi-isolant	Type P	Type N
Dopant	Azote (N)	Vanadium (V)	Aluminium (Al)	Azote (N)
Résistivité	0,015–0,028Ω·cm	> 1×10⁸Ω·cm	≤0,3Ω·cm	≤ 1mΩ·cm
MPD (Grade A)	≤ 0,5 cm⁻²	≤ 1cm⁻²	≤ 0,1 cm⁻²	≤ 0,1 cm⁻²
TTV			≤5μm	≤5μm
Arc			≤15μm	≤15μm
Warp			≤30μm	≤30μm
Ruguosité de surface	Si-face CMP Ra ≤0,2 nm ; Polish optique C-face
Finition de surface	SSP / DSP, prêt pour l’épinéphrine
Emballage	Cassette simple ou multi-wafer, sous vide

Applications

Où cette plaquette apporte de la valeur

Électronique de puissance

Les substrats SiC délivrent une forte tension de rupture et de faibles pertes de commutation, permettant des dispositifs de puissance à haute efficacité. Dispositifs typiques : MOSFETs SiC, Diodes barrières Schottky (SBD) et IGBT. Applications : groupes motopropulseurs pour VE, recharge rapide, réseaux intelligents, moteurs industriels.

RF et dispositifs micro-ondes

Le 4H-SiC semi-isolant est la plateforme privilégiée pour les HEMT GaN-on-SiC. Son excellente conductivité thermique garantit des performances à haute fréquence. Applications : stations de base 5G/6G, systèmes radar, communications par satellite.

Applications émergentes AR/MR

Indice de réfraction élevé et propriétés optiques excellentes. Idéal pour les circuits intégrés photoniques (PIC) et les guides d’ondes optiques, permettant des écrans AR/MR compacts et à haute efficacité.

Électronique en environnement extrême

Résistance à haute température et dureté aux rayonnements (dur aux radiations). Conçu pour des environnements difficiles : systèmes aérospatiaux, capteurs de forage profond, instrumentation nucléaire et électronique de défense critique.

FAQ

Questions fréquentes sur ce produit

Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.

Quels types de plaquettes de substrat SiC PWG propose-t-il ?

PWG fournit des substrats SiC de haute qualité dans les polytypes 4H, 6H et 3C. Nous proposons des plaquettes de type N (dopée N), de type P (dopée à l’Al) et semi-isolantes (dopées en V) avec des finitions de surface prêtes à l’épi pour répondre aux besoins spécifiques de votre dispositif.

Quelle est la différence entre les wafers SiC de type N, de type P et semi-isolants ?

SiC de type N : Typiquement dopé à l’azote, largement utilisé pour les dispositifs de puissance SiC et la croissance épitaxiale. SiC de type P : Typiquement dopé à l’aluminium, adapté aux jonctions PN, aux dispositifs bipolaires et aux structures spécialisées de dispositifs. SiC semi-isolant : Typiquement dopé au vanadium, conçu pour des applications à haute fréquence, notamment comme substrat pour l’épitaxie GaN HEMT.

Quel niveau de MPD vos substrats SiC peuvent-ils atteindre ?

Nos substrats SiC sont disponibles avec différentes concentrations de densité de micropipe (MPD) selon la taille des plaquettes. Pour certains substrats 4H-SiC, le MPD peut atteindre aussi bas que ≤0,1 cm⁻², tandis que les produits 6 » et 8 » sont disponibles avec des spécifications adaptées à votre grade et application.

Proposez-vous des services de traitement de wafers SiC ?

Oui. Au-delà des substrats nus, nous soutenons les traitements à valeur ajoutée incluant le découpage, le meulage, l’amincissage, le polissage CMP, la métallisation du dos, la liaison cristalline et l’implantation ionique selon les besoins du projet.

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