Select a diameter to review the corresponding published specification set.
Les substrats SiC constituent la plateforme idéale pour la croissance épitaxiale, permettant la fabrication de diodes Schottky haute performance (SBD), MOSFET et IGBT. Ces dispositifs sont largement adoptés dans les véhicules à énergie nouvelle, le transport ferroviaire, les réseaux intelligents et les moteurs industriels, offrant une efficacité et une fiabilité supérieures.
Les plaquettes semi-isolantes 4H-SiC sont le substrat privilégié pour les transistors GaN à haute mobilité électronique (HEMT), offrant d’excellentes performances haute fréquence pour les stations de base 5G, les systèmes radar et les communications par satellite.
Grâce à son indice de réfraction élevé et à ses excellentes propriétés optiques, le SiC émerge comme un matériau prometteur pour les circuits intégrés photoniques et les guides d’ondes optiques. Cela fait des wafers 4H-SiC un substrat idéal pour les lunettes AR de nouvelle génération et les écrans de réalité mixte, permettant des systèmes optiques compacts et à haute efficacité basés sur des guides d’ondes.
Grâce à leur haute résistance à haute température et à leur dureté par radiation, les dispositifs à base de SiC sont idéalement adaptés aux applications en environnements difficiles, y compris les systèmes aérospatiaux, les capteurs de forage profond et d’autres systèmes électroniques critiques.
Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.
Power Wafertech Group fournit des plaquettes de substrat 4H-SiC, 6H-SiC et 3C-SiC. Selon l’application, nous proposons des substrats SiC de type N, P et semi-isolants avec différents niveaux de dopage et propriétés électriques.
SiC de type N : généralement dopé à l’azote et largement utilisé pour les substrats de dispositifs de puissance et la croissance épitaxiale. SiC de type P : Typiquement dopé à l’aluminium et adapté aux jonctions PN, aux dispositifs bipolaires et aux structures spécialisées de dispositifs. SiC semi-isolant : Typiquement dopé au vanadium et conçu pour des applications à haute fréquence, notamment comme substrat pour l’épitaxie GaN HEMT.
Nos substrats SiC sont disponibles avec différentes spécifications de densité de micropipe (MPD) selon la taille et la qualité des wafers. Pour certains substrats 4H-SiC sélectionnés, la MPD peut atteindre aussi bas que ≤0,1 cm⁻², tandis que les produits 6 » et 8 » sont disponibles avec des spécifications adaptées à la qualité et à l’application.
Oui. En plus des substrats nus, nous pouvons soutenir le découpage, le meulage, l’éclaircire, le polissage CMP, le traitement/métallisation du dos, la liaison cristalline et l’implantation ionique selon les besoins du projet.
Enquête technique
Partagez votre matériau, dimensions, spécifications, stade d’application ou de projet. Notre équipe examinera vos besoins et répondra dans un délai d’un jour ouvré.
Réponse menée par l’ingénierie
Les demandes d’information sont transmises à l’équipe technique ou commerciale appropriée.
Adresse
N° 1389, route Lianmei, zone industrielle de Lianhua, Tong’an, Xiamen, Fujian 361100, Chine
Téléphone
