01
LED UV profond
Les gabarits AlN sur saphir sont largement utilisés comme plateforme de départ pour les LED UVC à base d’AlGaN, en particulier pour l’émission UV dans la plage d’environ 200 à 280 nm.
Modèle AlN
AlN sur le modèle Sapphire
Les gabarits AlN à base de saphir sont disponibles en plusieurs tailles de plaquettes et avec des épaisseurs et orientations personnalisables en AlN, les modèles AlN-on-saphir de haute qualité cristalline et faible densité de défauts conviennent aussi bien à la R&D qu’au développement de dispositifs.
- Substrat — C-plane Sapphire (autres orientations disponibles)
- Taille — 2 », 4 », 6 », personnalisable
- Épaisseur de l’épi — 0,5~5μm
- Finis de surface — Epi-Ready
- XRD FWHM (0002) — Arcsec typique <500
- Spécification personnalisée — acceptable
- Package — Cassette à wafer unique, scellée sous vide
Spécifications détaillées
Spécifications publiées par diamètre de plaquette.
Select a diameter to review the corresponding published specification set.
Applications
Où cette plaquette apporte de la valeur
02
UV Laser Diodes
Adapté comme modèle épitaxial pour le développement de structures de diodes laser UV à base d’AlGaN et d’autres dispositifs optoélectroniques à courte longueur d’onde.
03
AlGaN / Épitaxie AlN
Utilisé comme modèle pour la croissance ultérieure d’AlGaN, AlN et des structures épitaxiales à large bande interdite apparentées pour la recherche et le développement de dispositifs.
04
Dispositifs basés sur GaN
L’AlN-sur-saphir peut également être utilisé comme plateforme de nucléation ou de tampon conçue pour certaines structures électroniques et RF basées sur le GaN, selon la conception épitaxiale cible.
FAQ
Questions fréquentes sur ce produit
Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.
L’épaisseur typique du film d’AlN varie de 0,5 μm à 5 μm. L’épaisseur peut être personnalisée en fonction de la structure épitaxiale cible.
Oui. Les gabarits sont fournis avec une surface lisse et épi-ready, adaptée aux couches épitaxiales ultérieures d’AlGaN, d’AlN et associées.
Oui. Nos modèles AlN-on-sapphire peuvent servir de plateforme de départ pour des LED UVC à base d’AlGaN et d’autres structures de dispositifs DUV.
Oui. De petites quantités et des spécifications personnalisées peuvent être discutées pour la recherche et le développement de prototypes.
Enquête technique
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Réponse menée par l’ingénierie
Les demandes d’information sont transmises à l’équipe technique ou commerciale appropriée.
Adresse
N° 1389, route Lianmei, zone industrielle de Lianhua, Tong’an, Xiamen, Fujian 361100, Chine
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