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Couches d’épinéphine haute tension et faible résistance pour les groupes motopropulseurs des véhicules électriques et les systèmes de charge rapide. Optimisé pour les MOSFETs SiC 650V-1700V et les diodes JBS, avec une uniformité d’épaisseur élevée de ≤4 % et des profils de dopage précis.
Des wafers d’épi fiables conçus pour la conversion d’énergie dans des environnements difficiles et les machines lourdes. Conçu pour les MOSFETs SiC à haute puissance, SBD et modules de puissance 1200V+ dans les onduleurs solaires, le stockage d’énergie et les systèmes de transport ferroviaire.
Activation des couches d’epinetödnie à perte de commutation ultra-faible pour les alimentations serveur haute densité (PSU). Conçu pour les MOSFETs de tranchée et les redresseurs à haute efficacité, offrant de faibles BPD et une rugosité minimale de surface pour une efficacité énergétique maximale.
Couches épitaxiales épaisses pour les réseaux intelligents de nouvelle génération et les systèmes de stockage d’énergie (ESS). Supportant les IGBT, GTO et jonctions PN de 10kV+ grâce à notre capacité d’épinéphanie ultra-épaisse allant de 30 à 200μm.
Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.
Pour l’homoépitaxie standard 4H-SiC, la concentration de porteurs peut être contrôlée sur environ 1×10¹⁴ à 1×10¹⁹ cm⁻³. Cela dépend du type de conductivité (type N ou type P) et de votre conception spécifique de l’épi.
Pour l’homoépitaxie standard 4H-SiC, l’uniformité de l’épaisseur peut être contrôlée jusqu’à environ ≤10 %. Pour certaines structures épinéphriennes SiC de type P, l’uniformité peut atteindre ≤4 %. La performance réelle dépend de la taille de la plaquette, de l’épaisseur de l’epi et de la structure.
Oui. PWG peut développer des structures épitaxiales multicouches personnalisées, incluant des couches tampon, des couches à propagation de courant, des couches de canaux, des couches barrières et d’autres structures spécifiques à chaque dispositif.
Oui. Nous proposons des couches épitaxiales SiC de 30 à 200 μm d’épaisseur pour des applications ultra-haute tension (jusqu’à 10kV+). L’épaisseur, la concentration de dopage et l’uniformité sont optimisées en fonction de votre tension de rupture cible.
Nous mettons en œuvre un contrôle strict des processus d’épi pour minimiser les dislocations du plan de la base (BPD) et les failles d’empilement (SF). La densité typique des défauts est maintenue à des niveaux de pointe dans l’industrie afin d’assurer un rendement et une fiabilité élevés de l’appareil. Les données cartographiques complètes sont disponibles sur demande.
Enquête technique
Partagez votre matériau, dimensions, spécifications, stade d’application ou de projet. Notre équipe examinera vos besoins et répondra dans un délai d’un jour ouvré.
Réponse menée par l’ingénierie
Les demandes d’information sont transmises à l’équipe technique ou commerciale appropriée.
Adresse
N° 1389, route Lianmei, zone industrielle de Lianhua, Tong’an, Xiamen, Fujian 361100, Chine
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