Plaquettes SiC

Épitaxie SiC

Nos plaquettes épitaxiales SiC – cultivées par CVD sur des substrats SiC – offrent une uniformité bien contrôlée et une faible densité de défauts, formant une plateforme fiable pour SBD, MOSFET, JFET, IGBT, GTO, BJT, etc., de 600V à 10kV.

Polytypes — 4H-SiC (homoépi-taxie) / 3C-SiC (homo- et hétérépi-taxie)
Conductivité — Type N, type P, semi-isolant
Diamètres — 2″, 4″, 6″, 8″
Plage d’épaisseur — 0,5 – 200μm (personnalisable)
Structure — Structures multicouches personnalisées, couches tampons et profils de dopage précis
Couche épitaxiale épaisse — fournit un service de croissance épitaxiale de 30~200μm d’épaisseur pour les dispositifs ultra-haute tension, garantissant une bonne uniformité et une qualité cristalline.

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Spécifications détaillées

Spécifications publiées par diamètre de plaquette.

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Objet	Plaquette d’épi 4H-SiC
Diamètre	2”, 4”, 6”, 8”
Substrat	Substrat
Orientation	Sur axe, hors axe
Conductivité	Type N
Résistivité	0,015- 0,028Ω·cm
Ruguosité de surface	≤0,2 nm
MPD	≤1 cm⁻²
Epi	Epi
Conductivité	Type N
Plage d’épaisseur	0,5~200um (Personnalisable)
Uniformité de l’épaisseur	≤10%
Concentration de porteuse	1E14~1E19cm-3
Uniformité des porte-avions	≤20%

Objet	Plaquette épitaxiale basée sur 4H-SiC de type P
Diamètre	4”
Substrat	Substrat
Orientation	Hors axe
Conductivité	Type P
Résistivité	≤0,3Ω·cm
Ruguosité de surface	≤0,5 nm
MPD	≤0,1 cm⁻²
Epi	Epi
Conductivité	Type N
Plage d’épaisseur	5~100um (Personnalisable)
Uniformité de l’épaisseur	≤4%
Concentration de porteuse	1E15~5E16cm-3
Uniformité des porte-avions	≤ 10%

Objet	Homoépitaxie 3C-SiC
Diamètre	2”
Substrat	Substrat
Orientation	Sur l’axe
Conductivité	Type N
Résistivité	≤1mΩ·cm
Ruguosité de surface	≤0,5 nm
MPD	≤0,1 cm⁻²
Epi	Epi
Conductivité	Type N
Plage d’épaisseur	5~100um (Personnalisable)
Uniformité de l’épaisseur	≤4%
Concentration de porteuse	1E15~5E16cm-3
Uniformité des porte-avions	≤ 10%

FAQ

Questions fréquentes sur ce produit

Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.

Quelle concentration de porteurs peut être atteinte ?

Pour l’homoépitaxie standard 4H-SiC, la concentration des porteurs peut être contrôlée sur environ 1×10¹⁴–1×10¹⁹ cm⁻³, selon le type de conductivité et la conception de l’épi.

Quelle est l’uniformité typique d’épaisseur des couches épitaxiales SiC ?

Pour l’homoépitaxie standard 4H-SiC, l’uniformité de l’épaisseur peut être contrôlée jusqu’à environ ≤10 %. Pour certaines structures épinéphriennes SiC de type P, l’uniformité peut atteindre ≤4 %. La performance réelle dépend de la taille de la plaquette, de l’épaisseur de l’epi et de la structure.

Pouvez-vous fournir des structures épidéliennes multicouches ou complexes en SiC ?

Oui. PWG peut développer des structures épitaxiales multicouches personnalisées, incluant des couches tampon, des couches à propagation de courant, des couches de canaux, des couches barrières et d’autres structures spécifiques à chaque dispositif.

Peut-on fournir une épitaxie SiC épaisse pour les appareils à haute tension ?

Oui. Des couches épitaxiales SiC de 30 à 200 μm d’épaisseur peuvent être développées pour des applications à ultra-haute tension. L’épaisseur, la concentration de dopage et l’uniformité peuvent être optimisées en fonction de la tension de rupture cible.

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