Plaquettes Épi III-V | InP, GaAs, GaSb | Groupe Power Wafertech

Plaquettes épitaxiales semi-conductrices III-V

Plaquette épitaxiale semi-conductrice III-V

Hétérostructures de précision développées par MOCVD/MBE sur substrats InP, GaSb et GaAs. Conçu pour les HEMT, pHEMT, HBT, diodes laser, VCSEL et détecteurs IR haute performance. Prise en charge des structures d’épi personnalisées de la R&D à la production en volume.
  • Substrat — InP, GaSb, GaAs
  • Méthode de croissance — MOCVD, MBE
  • Type d’étréni — HEMT, PHEMT, HBT, LD, VCSEL, Photodétecteur, T2SL
  • Personnalisation — Épaisseur des couches, dopage et empilements multi-couches
  • Emballage — Cassette à wafer unique, scellée sous vide
Spécifications détaillées

Spécifications par type de plaquette.

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Système matériel Structure typique Propriétés clés Applications principales
InGaAs/InP Détecteur de broche/APD
Chaîne HEMT
Mobilité électronique élevée
Absorption à 1,3–1,55μm
Récepteurs optiques haute vitesse
HEMTs mmWave
InGaAsP/InP Structures de lasers à puits quantiques multiples Bande passante directe
Longueur d’onde accordable
Lasers DFB, EML
Modulateurs d’électroabsorption (EAM)
Amplificateurs optiques
InAlAs/InGaAs/InP Hétérostructure 2DEG Meilleur gain
Bruit plus faible
Efficacité énergétique supérieure
HEMT et HBT ultra-haute vitesse
LT-InGaAs
(InGaAs à basse température)
Couche d’InGaAs cultivée à basse température Ultra haute résistivité
Durée de vie du porte-avions ultra-rapide
Antennes photoconductrices térahertz
Photodétecteurs ultra-rapides

Avis de contrôle des exportations

L’exportation de ce produit est réglementée par le Ministère du Commerce de la RPC (MOFCOM). Une licence d’exportation doit être obtenue avant l’expédition. Contactez notre équipe conformité pour plus de détails.

Applications

Où cette plaquette apporte de la valeur

01

Plaquettes épitaxiales à base d’InP

Les plaquettes épitaxiales InP sont conçues pour les communications optiques à haute vitesse et les dispositifs RF, prenant en charge les communications optiques 1,3–1,55 μm, les lasers DFB/EML, les photodétecteurs PIN/APD et les applications MMWave HEMT/HBT.

02

Plaquettes d’épi à base de GaSb

Les plaquettes d’épi GaSb sont conçues pour la détection et l’imagerie en ondes moyennes et infrarouges longues (MWIR/LWIR). Dotés de structures Superlattice de type II (T2SL), ils permettent des détecteurs T2SL haute performance et des systèmes de détection de gaz.

03

Plaquettes épitaxiales basées sur GaAs

Les plaquettes épitaxiales GaAs servent les front-ends RF 5G/6G, les lasers proche infrarouge et les LED à haute luminosité. Les applications typiques incluent les dispositifs pHEMT/HBT 5G/6G, les diodes laser VCSEL/proche IR, les LED rouge/jaune et les interrupteurs photoconducteurs.

FAQ

Questions fréquentes sur ce produit

Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.

Veuillez fournir le diamètre de la plaquette, l’orientation des cristaux, la structure des couches, l’épaisseur de la couche, les exigences de dopage, la quantité et les applications du dispositif cible.

Oui. Si vous n’avez pas encore une structure de couche finalisée, notre équipe technique discutera de votre dispositif cible, de la longueur d’onde, de la fréquence ou des exigences de performance et recommandera une structure épitaxiale adaptée.

Oui. Nous supportons la personnalisation complète de la composition des couches, de l’épaisseur, du dopage, des structures de puits quantiques, des couches tampon, des couches de capuchon et des conceptions super-réseau.

Enquête technique

Parlez aux ingénieurs de vos besoins en wafer

Partagez votre matériau, dimensions, spécifications, stade d’application ou de projet. Notre équipe examinera vos besoins et répondra dans un délai d’un jour ouvré.

Réponse menée par l’ingénierie

Les demandes d’information sont transmises à l’équipe technique ou commerciale appropriée.

Adresse

N° 1389, route Lianmei, zone industrielle de Lianhua, Tong’an, Xiamen, Fujian 361100, Chine

Téléphone

+86-592-5633652

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