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InGaAs/InP
Récepteurs optiques haute vitesse, HEMT mmWave | Structure typique : Détecteur PIN/APD Canal HEMT | Propriétés clés : Forte mobilité électronique Absorption à 1,3-1,55μm
Plaquettes épitaxiales semi-conductrices III-V
Plaquette épitaxiale semi-conductrice III-V
PWG propose des solutions épitaxiales basées sur des substrats InP, GaSb et GaAs, couvrant les hétérostructures pour les HEMT, pHEMT, HBT, diodes laser, photodétecteurs, VCSEL, détecteurs infrarouges et autres dispositifs III-V.
- Substrat — InP, GaSb et GaAs
- Méthode de croissance — MOCVD et MBE
- Caractéristiques techniques — Standard, personnalisé
- Type d’étréni — HEMT / PHEMT / HBT / LD / VCSEL / photodétecteur / T2SL, etc.
- Emballage — Cassette à wafer unique, scellée sous vide
Spécifications détaillées
Spécifications publiées par diamètre de plaquette.
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Applications
Où cette plaquette apporte de la valeur
02
InGaAsP/InP
Lasers DFB, EML, modulateurs électro-absorpteurs (EAM), amplificateurs optiques | Structure typique : Structures laser à puits quantiques multiples | Propriétés clés : Longueur d’onde accordable en bande passante directe
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InAlAs/InGaAs/InP
HEMT et HBT ultra-haute vitesse | Structure typique : hétérostructure 2DEG | Propriétés clés : meilleur gain, moins de bruit, meilleure efficacité énergétique
04
InAs/GaSb (superréseau de type II)
Imagerie haute performance MWIR & LWIR | Structure typique : Structures du détecteur IR T2SL | Propriétés clés : Couverture spectrale large (extensible >14μm)
05
InGaAsSb/GaSb, AlGaAsSb/GaSb
Lasers à infrarouges moyens pour la détection des gaz | Structure typique : Structures laser à puits quantiques | Propriétés clés : bande passante directe, émission infrarouge moyenne
06
Structures thermophotovoltaïques (TPV) à base de GaSb
Cellules TPV | Structure typique : structure PIN | Propriétés clés : Conversion d’énergie à haute efficacité
07
AlGaAs/GaAs
HEMT RF 5G/6G, diodes laser proche infrarouge (LD) | Structure typique : puits quantiques, hétérostructures | Propriétés clés : Mobilité électronique élevée Bande passante directe
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InGaP/GaAs
Amplificateurs de puissance RF (HBT) | Structure typique : Structures HBT | Propriétés clés : Haute tension de rupture Haut rendement
09
InGaAs/GaAs (Couche de déformation)
LNAs mmWave, commutateurs à haute vitesse | Structure typique : pHEMT Structures | Propriétés clés : Mobilité et vitesse très élevées des électrons
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AlGaInP/GaAs
Diodes lumineuses (LED) à haute luminosité rouge, jaune et orange | Structure typique : Structures multiples de puits quantiques | Propriétés clés : Spectre rouge-jaune à bande interdite directe
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GaAs à basse température (LT-GaAs)
Antennes photoconductrices térahertz, photodétecteurs ultra-rapides | Structure typique : couche de GaAs cultivé à basse température (LTG-GaAs) | Propriétés clés : Ultra haute résistivité Durée de vie du porteuse ultra-rapide
FAQ
Questions fréquentes sur ce produit
Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.
Veuillez fournir le matériau du substrat, le diamètre de la plaquette, l’orientation des cristaux, la structure des couches, l’épaisseur de la couche, la composition, les besoins en dopage, la quantité et l’appareil cible.
Oui. Si vous n’avez pas encore de structure de couche finalisée, notre équipe technique peut discuter de l’appareil cible, de la longueur d’onde, de la fréquence ou des exigences de performance et recommander une structure épitaxiale adaptée.
Oui. Nous pouvons personnaliser la composition des couches, l’épaisseur, le dopage, les structures de puits quantiques, les couches tampon, les couches de capuchon et les conceptions de super-réseau.
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Réponse menée par l’ingénierie
Les demandes d’information sont transmises à l’équipe technique ou commerciale appropriée.
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N° 1389, route Lianmei, zone industrielle de Lianhua, Tong’an, Xiamen, Fujian 361100, Chine
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