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L’exportation de ce produit est réglementée par le Ministère du Commerce de la RPC (MOFCOM). Une licence d’exportation doit être obtenue avant l’expédition.
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Une plateforme optimale pour les dispositifs de commutation haute et haute puissance, incluant les HEMT GaN-on-Si pour les chargeurs rapides, les groupes motopropulseurs de VE et les alimentations de centres de données.
Les gabarits GaN sont idéaux pour les modules front-end RF haute fréquence, l’infrastructure 5G/6G et les amplificateurs de puissance mmWave nécessitant une grande mobilité électronique et une stabilité thermique.
Appliqué dans la croissance épitaxiale d’émetteurs LED bleus et verts, de diodes laser (LD) et d’écrans Micro-LED de nouvelle génération. Permettre des structures avancées InGaN/GaN MQW pour une émission lumineuse à haute efficacité.
Pour la fabrication de photodétecteurs UVC/UVA, de capteurs UV aveugles au soleil et de dispositifs chimiques/bio-détecteurs nécessitant une haute qualité cristalline et une faible densité de défauts.
Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.
Oui. Les gabarits de GaN sont principalement conçus comme plateformes prêtes à l’épi-epine pour une épitaxie de gaN ou de III-nitrure apparentée, aidant à simplifier le processus de croissance et à fournir une surface cristalline contrôlée.
Oui. En plus des modèles GaN, PWG peut fournir des modèles AlGaN et InGaN pour des applications nécessitant de l’ingénierie du gap interdit, en particulier les dispositifs avancés UV, à lumière visible et autres dispositifs optoélectroniques.
Un gabarit GaN consiste en une fine couche épitaxiale de GaN cultivée sur un substrat étranger (par exemple, saphir ou Si), offrant une plateforme économique pour la recroissance des dispositifs. Un substrat de GaN autonome est une plaquette de GaN en vrac dont le substrat étranger a été retiré, offrant la meilleure qualité cristalline et les performances thermiques pour les dispositifs haut de gamme.
Oui. PWG est adapté à la R&D avec un MOQ flexible pour le prototypage. Nous supportons la personnalisation rapide de l’épaisseur de l’épi, du dopage et des types de substrats pour répondre aux besoins de votre appareil.
Les substrats de GaN autoportants (FS) sont des plaquettes de GaN en vrac natives éliminant les substrats étrangers (saphir/silicium). Dotée d’une densité de dislocations ultra-faible et d’une haute qualité cristalline, offrant la plateforme ultime pour les diodes laser haute performance, les micro-LED et les dispositifs RF.
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Les plaquettes épitaxiales LED GaN de PWG sont des hétérostructures AlGaN/InGaN cultivées par MOCVD, conçues pour des LED UV, bleues et vertes à haute efficacité. Dotées de structures multi-puits quantiques précises (MQW), ces wafers d’épi offrent un haut rendement quantique interne (IQE), une émission uniforme et une fiabilité supérieure des dispositifs.
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Structures HEMT AlGaN/GaN à croissance précise pour la commutation RF haute fréquence et haute puissance. Doté de tampons à faible défaut et de canaux 2DEG à haute densité pour des performances supérieures de l’appareil.
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Réponse menée par l’ingénierie
Les demandes d’information sont transmises à l’équipe technique ou commerciale appropriée.
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N° 1389, route Lianmei, zone industrielle de Lianhua, Tong’an, Xiamen, Fujian 361100, Chine
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