Plaquettes GaN

Modèle GaN

Les gabarits de GaN de PWG consistent en une couche épitaxiale de GaN de haute qualité cristalline cultivée sur des substrats étrangers, offrant un équilibre optimal entre performance, gestion thermique et efficacité des coûts.

Options de substrat — saphir, silicium ou SiC
Conduction de l’épicouche GaN — Type N (dopé Si), type P (dopé Mg) et semi-isolant (dopé Fe)
Épaisseur de l’épi — 1μm à 100μm (personnalisable)
Qualité cristalline — Densité de dislocations <1×10⁸cm⁻² (sur le saphir)
Options de matériaux étendus — Modèle AlGaN, modèle InGaN

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Spécifications détaillées

Spécifications publiées par diamètre de plaquette.

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Objet	GaN-sur-saphir (GaN-sur-Al₂O₃) Modèle
Substrat	Saphir
Diamètres	2 pouces (50,8 mm), 3 pouces (76,2 mm), 4 pouces (100 mm) et 6 pouces (150 mm)
Finition de surface	Épi-ready, poli simple ou double face
Ruguosité de surface	Ra
Couche épi-N GaN	Couche épi-N GaN
Conduction Types	Type N (dopé Si), Type P (dopé Mg) et Semi-isolant (dopé Fe)
Plage d’épaisseur	4μm à 100μm, personnalisable
Densité de dislocations	typiquement
Résilience	• Type N : 1×10⁶Ω·cm
XRD FWHM de (002)
XRD FWHM de (102)

Objet	GaN sur gabarit en silicium
Substrat	Silicium
Diamètres	2 pouces (50,8 mm), 4 pouces (100 mm), 6 pouces (150 mm) et 8 pouces (200 mm)
Finition de surface	Épi-ready, poli simple ou double face
Résistivité	Faible résistivité ou haute résistivité
Couche GaN	Couche GaN
Conduction Types	Type N (dopé au Si), Type P (dopé au Mg) et Semi-isolant (Dopé au Fe)
Épaisseur	~4-6 μm, personnalisable

Objet	GaN sur un modèle SiC
Substrat	4H-SiC semi-isolant
Diamètres	2 pouces (50,8 mm), 4 pouces (100 mm) et 6 pouces (150 mm)
Finition de surface	Épi-ready, poli simple ou double face
Ruguosité de surface	Ra
Couche épi-N GaN	Couche épi-N GaN
Conduction Types	Type N (dopé Si), Type P (dopé Mg) et Semi-isolant (dopé Fe)
Plage d’épaisseur	1μm~2μm, personnalisable
XRD FWHM de (002)
XRD FWHM de (102)

FAQ

Questions fréquentes sur ce produit

Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.

Les gabarits GaN peuvent-ils être utilisés pour une croissance épitaxiale supplémentaire ?

Oui. Les gabarits de GaN sont principalement conçus comme plateformes prêtes à l’épi-epine pour une épitaxie de gaN ou de III-nitrure apparentée, aidant à simplifier le processus de croissance et à fournir une surface cristalline contrôlée.

Fournissez-vous des modèles AlGaN et InGaN ?

Oui. En plus des modèles GaN, PWG peut fournir des modèles AlGaN et InGaN pour des applications nécessitant de l’ingénierie du gap interdit, en particulier les dispositifs avancés UV, à lumière visible et autres dispositifs optoélectroniques.

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