Plaquette épitaxiale en silicium | Groupe Power Wafertech

Plaquette épitaxiale en silicium

Power Wafertech Group fournit des plaquettes épitaxiales en silicium (wafers Si epi) cultivées par épitaxie CVD avancée. Des couches épitaxiales de silicium précisément contrôlées sont déposées sur des substrats conducteurs afin d’obtenir l’épaisseur, le profil de dopage et la résistivité requises pour la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs.

Taille — 4 », 6 », 8 » et 12 »
Méthode — CVD
Structure épi — Structures N/N⁺, P/P⁺, P/N
Épaisseur de l’épi — 0,5–150 μm
Résistivité épi-résistive — 0,1–1000 Ω·cm
Substrat — Substrats N⁺, P⁺ et à haute résistivité
Emballage — Cassette à wafer unique, scellée sous vide

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Spécifications détaillées

Spécifications publiées par diamètre de plaquette.

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Paramètre	Spécification
Diamètre de la plaquette	4", 6", 8", 12"
Méthode de croissance	CVD
Type de substrat	N⁺ (Sb/As), P⁺ (B), Si à haute résistivité
Orientation cristalline	(100), (111)
Type de dopage épidéphine	Type N (P), Type P (B)
Structure Épi	N/N⁺, P/P⁺, P/N, multicouches / personnalisé
Résistivité épidélienne	0,1–1000 Ω·cm
Épaisseur de l’épi	0,5–150 μm
Profil antidopage	Personnalisé
Emballage	Cassette à wafer unique, scellée sous vide

Applications

Où cette plaquette apporte de la valeur

Épitaxie au silicium pour les dispositifs d’alimentation

1) MOSFETs de puissance et IGBT N/N⁺ de silicium et de wafers d’épi peuvent être conçus avec une épaisseur et une résistivité contrôlées pour former la région de dérive des dispositifs de puissance haute tension. Les applications typiques incluent : MOSFETs de puissance, IGBT, modules de puissance, entraînements de moteurs industriels, électronique de puissance automobile. La couche épinéphile peut être personnalisée selon la tension de rupture cible, la résistance en marche et l’architecture du dispositif. 2) Diodes Schottky & JBS : Des couches d’épi en silicium légèrement dopées contrôlées sur des substrats fortement dopés peuvent être utilisées pour optimiser le compromis entre la tension de rupture et la tension directe. Applications typiques : Diodes Schottky Diodes JBS Redresseurs de puissance

Silicium Epi pour les dispositifs RF et à haute vitesse

Des substrats en silicium à haute résistivité et des couches épitaxiaux contrôlées peuvent être utilisés pour les structures semi-conductrices RF et micro-ondes, aidant à réduire les effets parasites indésirables. Les applications typiques incluent : commutateurs RF, amplificateurs à faible bruit, VCO, circuits analogiques haute fréquence, dispositifs micro-ondes,

Silicium Epi pour les dispositifs bipolaires

Des structures P/N, N/P/N ou P/N/P personnalisées peuvent être développées pour des applications de dispositifs bipolaires. Une épaisseur d’epi contrôlée et des profils de dopage permettent d’optimiser : Structures collecteurs Isolation base-collecteur Caractéristiques de dégradation Performance haute fréquence Les applications typiques incluent les BJT et les dispositifs analogiques à haute vitesse.

Silicon Epi pour capteurs d’image CMOS

Le silicium épitaxial de type P sur substrats fortement dopés peut être utilisé pour des applications de capteurs d’image CMOS. La structure épitaxiale peut aider à contrôler les effets électriques liés au substrat et soutenir : faible courant d’obscurité Réduction de la diaphonie pixel à pixel Uniformité d’image améliorée Imagerie haute performance en faible luminosité

FAQ

Questions fréquentes sur ce produit

Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.

Pouvez-vous personnaliser le profil antidopage ?

Oui. L’épaisseur de l’épi, la résistivité, le type de dopage, la concentration de dopage et les structures multicouches peuvent être personnalisés.

Soutenez-vous les commandes R&D en petits lots ?

Oui. Nous prenons en charge les besoins en R&D, prototypes et petits lots, ainsi que les commandes à l’échelle de production.

Quelles informations sont requises pour un devis ?

Veuillez fournir la taille de la plaquette, l’orientation, le type de substrat, la résistivité, l’épaisseur de l’épi, le dopage d’épinéphrine, la structure et la quantité.

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