Substrat de silicium | Groupe Power Wafertech

Substrat de silicium

Power Wafertech Group fournit des plaquettes en silicium monocristallin pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, les MEMS, la croissance épitaxiale et les applications de recherche. Des plaquettes en silicium de qualité première et de qualité test peuvent être fournies.

Taille — 4”, 6”, 8”, 12”
Orientation — (100), (110), (111), (211), etc.
Méthode de croissance — CZ, FZ
Résistivité — 0,0005 Ω·cm à >10 000 Ω·cm
Finis de surface — SSP, DSP, lapées, gravées et découpées
Emballage — Cassette simple ou multi-wafer, sous vide

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Spécifications détaillées

Spécifications publiées par diamètre de plaquette.

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Paramètre	Plaquette de silicium de 6" (150 mm)
Croissance cristalline	CZ / FZ
Orientation cristalline	(100), (110), (111)
Type de dopage	Type N (P, As, Sb), Type P (B)
Grade	Primaire, test, mannequin, note de recherche
Résistivité	0,0005–10 000+ Ω·cm, selon la méthode de croissance et le dopage
Épaisseur	675 ± 25μm
TTV	≤5μm
Arc
Warp
Finition de surface	SSP, DSP, recoupé, gravé ou tel que découpé
Arête	Encoche ou plat, norme SEMI
Emballage	Cassette simple ou multi-wafer, sous vide

Paramètre	Substrat en silicium de 8" (200 mm)
Croissance cristalline	CZ / FZ
Orientation cristalline	(100), (110), (111)
Type de dopage	Type N (P, As, Sb), Type P (B)
Grade	Primaire, test, mannequin, note de recherche
Résistivité	0,0005–10 000+ Ω·cm, selon la méthode de croissance et le dopage
Épaisseur	725 ± 25 μm
TTV
Arc
Warp
Finition de surface	SSP, DSP, recoupé, gravé ou tel que découpé
Arête	Encoche, norme SEMI
Emballage	Cassette simple ou multi-wafer, sous vide

Paramètre	Substrat en silicium de 12" (300 mm)
Croissance cristalline	CZ
Orientation cristalline	(100), (110), (111)
Type de dopage	Type N (P, As, Sb), Type P (B)
Grade	Prime, test, idiot
Résistivité	Personnalisé selon les exigences antidopage
Épaisseur standard	775 ± 25 μm
TTV
Arc
Warp
Finition de surface	SSP, DSP, revêtu ou gravé
Traitement des bords	Encoche, norme SEMI
Emballage	Cassette simple ou multi-wafer, sous vide

Type de plaquette de silicium	Résistivité typique	Applications clés
Si fortement dopé	0,0005–0,005 Ω·cm	Dispositifs d’alimentation, MOSFET, IGBT, diodes de puissance, substrats épitaxiaux
Si de résistivité basse/moyenne	0,005–100 Ω·cm	CI, CMOS, MEMS, capteurs, R&D en semi-conducteurs
Si à haute résistivité	100–10 000 Ω·cm	Dispositifs RF, circuits haute fréquence, capteurs, recherche
Si à ultra-haute résistivité	>10 000 Ω·cm	RF, micro-ondes, détecteurs et applications spécialisées de recherche

Applications

Où cette plaquette apporte de la valeur

Si fortement dopé

Dispositifs de puissance, MOSFET, IGBT, diodes de puissance, substrats épitaxiaux | Résistivité typique : 0,0005–0,005 Ω·cm

Si de résistivité basse/moyenne

CI, CMOS, MEMS, capteurs, R&D en semi-conducteurs | Résistivité typique : 0,005–100 Ω·cm

Si à haute résistivité

Dispositifs RF, circuits haute fréquence, capteurs, recherche | Résistivité typique : 100–10 000 Ω·cm

Si à ultra-haute résistivité

RF, micro-ondes, détecteurs et applications de recherche spécialisées | Résistivité typique : >10 000 Ω·cm

FAQ

Questions fréquentes sur ce produit

Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.

Quelle plage de résistivité est disponible ?

Notre portefeuille de plaquettes en silicium couvre environ 0,0005 Ω·cm à >10 000 Ω·cm, selon la méthode de croissance des cristaux et les besoins en dopage.

Fournissez-vous des plaquettes en silicium de qualité primaire et de test ?

Oui. Nous fournissons des wafers d’apprêt, de test, de simulation et de qualité recherche selon les exigences d’application et de qualité.

Les spécifications des plaquettes en silicium peuvent-elles être personnalisées ?

Oui. Diamètre, orientation, dopage, résistivité, épaisseur, finition de surface, TTV, courbeur et chaîne peuvent être personnalisés selon des exigences spécifiques de dispositifs ou de procédés.

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