01
Amplificateurs de puissance RF
Épiwafers GaN-on-SiC / GaN-on-Si HEMT pour les systèmes MIMO massifs 5G/6G, communication par satellite (SATCOM) et radars à réseau phasé.
Plaquettes GaN
Épitaxie GaN HEMT
Structures HEMT AlGaN/GaN à croissance précise pour la commutation RF haute fréquence et haute puissance. Doté de tampons à faible défaut et de canaux 2DEG à haute densité pour des performances supérieures de l’appareil.
- Taille — 2"–8"
- Plateforme substrat — Saphir, Si ou SiC
- Structure épitaxiale — AlGaN/GaN HEMT (Composition Al personnalisée & épaisseur GaN)
- Caractéristiques de 2DEG — Haute densité (>1,0 × 10¹³ cm⁻²)
- Emballage — Cassette à wafer unique, scellée sous vide
Spécifications détaillées
Spécifications par type de plaquette.
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Avis de contrôle des exportations
L’exportation de ce produit est réglementée par le Ministère du Commerce de la RPC (MOFCOM). Une licence d’exportation doit être obtenue avant l’expédition.
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* Des structures d’epi personnalisées sont disponibles selon les besoins de l’appareil.
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Applications
Où cette plaquette apporte de la valeur
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Charge rapide et consommation
GaN sur des wafers Si HEMT pour chargeurs ultra-rapides (USB-), la recharge sans fil et les alimentations compactes dans smartphones, ordinateurs portables et appareils IoT.
03
Conversion d’énergie et centres de données
GaN HEMT epi sur le saphir/silicium pour les serveurs d’IA, les moteurs industriels et les onduleurs d’énergie renouvelable (solaire/éolien). Permettant une densité de puissance et une efficacité accrues.
04
Véhicules électriques
Des plaquettes épitaxiales GaN HEMT à base de Si pour chargeurs embarqués 800V (OBIC), convertisseurs DC-DC et onduleurs de traction, permettant des systèmes d’alimentation EV plus petits, plus légers et plus efficaces.
FAQ
Questions fréquentes sur ce produit
Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.
GaN-on-SiC : Idéal pour la RF haute puissance (5G/6G, radar) grâce à son excellente conductivité thermique. GaN-on-Si : Économique pour l’électronique de puissance (charge rapide, OBC EV) et évolutif jusqu’à 8 pouces. GaN-on-Saphir : Plateforme économique pour la RF et l’optoélectronique où les besoins thermiques sont faibles.
Oui. Nous offrons une personnalisation complète de la composition et de l’épaisseur de l’Al pour ajuster la densité, la mobilité et la tension seuil de 2DEG. Des structures barrières AlN/(In)AlN et des couches tampons personnalisées sont également disponibles.
Les plaquettes d’épitaxie GaN HEMT sont disponibles de 2 » à 8 » (tailles personnalisées disponibles). Les spécifications standard incluent des surfaces prêtes pour l’épi, une faible densité de défauts et un contrôle strict TTV/Arc/Warp.
Oui. Nous sommes adaptés à la R&D avec un faible MOQ. Nous soutenons le prototypage rapide (délai de réalisation rapide), les pilotes et une transition fluide vers une production à grande série.
Substrat GaN autonome
Les substrats de GaN autoportants (FS) sont des plaquettes de GaN en vrac natives éliminant les substrats étrangers (saphir/silicium). Dotée d’une densité de dislocations ultra-faible et d’une haute qualité cristalline, offrant la plateforme ultime pour les diodes laser haute performance, les micro-LED et les dispositifs RF.
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Modèle GaN
Le gala de PWG fait référence à des couches épitaxiales de GaN de haute qualité cultivées sur des substrats en saphir, silicium ou SiC. Offrant une plateforme économique et prête pour l’épi-production pour la recroissance ultérieure du GaN et la fabrication avancée de dispositifs.
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Épitaxie LED GaN
Les plaquettes épitaxiales LED GaN de PWG sont des hétérostructures AlGaN/InGaN cultivées par MOCVD, conçues pour des LED UV, bleues et vertes à haute efficacité. Dotées de structures multi-puits quantiques précises (MQW), ces wafers d’épi offrent un haut rendement quantique interne (IQE), une émission uniforme et une fiabilité supérieure des dispositifs.
Voir les détailsEnquête technique
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Réponse menée par l’ingénierie
Les demandes d’information sont transmises à l’équipe technique ou commerciale appropriée.
Adresse
N° 1389, route Lianmei, zone industrielle de Lianhua, Tong’an, Xiamen, Fujian 361100, Chine
Téléphone
