Plaquettes GaN

Épitaxie GaN HEMT

Les plaquettes épitaxiales GaN HEMT sont des hétérostructures AlGaN/GaN développées avec précision, conçues pour des dispositifs de commutation à haute fréquence et haute puissance.

Plateforme substrat — Saphir, Si, SiC
Taille — 2"–8"
Caractéristiques — Canal de gaz d’électrons bidimensionnel à haute densité (2DEG)

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Spécifications détaillées

Spécifications publiées par diamètre de plaquette.

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Paramètre	RF HEMT Epi Structure	Power HEMT Epi Structure
Passivation	SiN	—
Couche de capuchons	GaN	GaN
Barrière	AlGaN	AlGaN / (In)AlN
Intercouche	AlN	AlN
Chaîne	GaN	GaN
Tampon	GaN	GaN
Nucléation	Couche de nucléation	Couche de nucléation
Substrat	Saphir	Saphir
Taille	2”, 4”, 6”	2”, 4”, 6”

Paramètre	Structure Epi en mode D de puissance / RF HEMT	Structure Epi HEMT en mode E de puissance
Passivation	SiN	/
Couche de capuchons	GaN	p-GaN/GaN
Barrière	AlGaN	AlGaN
Chaîne	GaN	GaN
Tampon	AlGaN	AlGaN
Couche de transition	AlN	/
Substrat	Si	Si
Paramètres du substrat
Diamètre de la plaquette	2”, 4”, 6”, 8”	2”, 4”, 6”, 8”
Épaisseur du substrat	675μm / 1000μm / 1300μm / 1500μm*	675μm / 1000μm / 1300μm / 1500μm*

Paramètre	RF HEMT Epi-Structure
Passivation	SiN
Couche de capuchons	GaN
Barrière	AlGaN
Intercouche	AlN
Chaîne	GaN
Tampon	GaN
Couche de transition	AlN
Substrat	4H-SiC
Taille	2”, 4”, 6”

* Des structures d’epi personnalisées sont disponibles selon les besoins de l’appareil.

Applications

Où cette plaquette apporte de la valeur

Amplificateurs de puissance RF

Épifers GaN-on-SiC ou GaN-on-Si HEMT pour l’infrastructure 5G/6G, la communication par satellite, les systèmes radar

Adaptateurs de charge rapide

Épiwafers GaN-on-Si HEMT pour smartphones, ordinateurs portables, électronique grand public

Conversion de puissance

Épiwafers HEMT GaN-on-Si ou GaN-on-saphir pour les PSU serveurs, les entraînements de moteurs industriels, les onduleurs d’énergie renouvelable (solaire, éolien)

Véhicules électriques

Épiwafers GaN-on-Si HEMT pour chargeurs embarqués (OBIC), convertisseurs DC-DC

FAQ

Questions fréquentes sur ce produit

Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.

Quelle est la différence entre GaN-sur-Si, GaN-sur-SiC et GaN-sur-Saphir ?

Les trois plateformes offrent différentes combinaisons de performance thermique, taille de plaquette, coût et application de l’appareil : GaN-on-Si : attractif pour l’électronique de puissance évolutive et les applications sensibles au coût. GaN-on-SiC : excellentes performances thermiques et couramment sélectionné pour des applications RF à haute puissance. GaN-on-Saphir : plateforme économique pour le développement de dispositifs GaN et des applications sélectionnées en puissance/RF.

La couche barrière AlGaN peut-elle être personnalisée ?

Oui. La composition et l’épaisseur de la barrière AlGaN peuvent être personnalisées selon les caractéristiques 2DEG requises et la conception de l’appareil. Les structures barrières AlGaN/(In)AlN peuvent également être envisagées pour des applications spécifiques.

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