Plaquette de dioxyde de silicium | Groupe Power Wafertech

Plaquette de dioxyde de silicium

Power Wafertech Group fournit des plaquettes de dioxyde de silicium (SiO₂ on Si) fabriquées par oxydation thermique contrôlée des substrats de silicium. L’oxydation thermique sèche et l’oxydation thermique humide sont disponibles selon les épaisseurs d’oxyde et les exigences de procédé. Nos plaquettes SiO₂ présentent une épaisseur contrôlée de l’oxyde, une bonne uniformité au niveau des plaquettes et des surfaces prêtes à l’épi-procédé.

Taille — 6”, 8”, 12”
Type — Oxydation sèche, oxydation humide
Épaisseur de l’oxyde sec — typiquement 15–300 nm
Épaisseur de l’oxyde humide — typiquement 500 nm–2 μm
Surface oxydée — Oxydation simple ou double face
Emballage — Cassette simple ou multi-wafer, sous vide

Partagez ce produit :

Spécifications détaillées

Spécifications publiées par diamètre de plaquette.

Select a diameter to review the corresponding published specification set.

Paramètre	Oxydation thermique sèche	Oxydation thermique humide
Orientation du substrat	(100), (110), (111)	(100), (110), (111)
Type de substrat	Type N / Type P	Type N / Type P
Méthode d’oxydation	Oxydation sèche à l’O₂	Oxydation vapeur d’H₂O
Surface oxydée	Face simple / face double face	Face simple / face double face
Épaisseur typique de l’oxyde	15~300 nm, personnalisable	500nm~2μm, personnalisable
Densité (g/cm³)	2.24 – 2.27	2.18 – 2.21
Indice de réfraction (λ=546nm)	1.460 – 1.466	1.435 – 1.458
Constante diélectrique	3.4 (à 10KHz)	3,82 (à 1 MHz)
Résistance diélectrique (×10⁶ V/cm)	9	Non spécifié

Applications

Où cette plaquette apporte de la valeur

MOS & Diélectriques de grilles

Des couches thermiques seces de SiO₂ minces peuvent être utilisées comme couches diélectriques de grille ou isolantes dans les structures de dispositifs à base de MOS. MOSFETs MOS Condensateurs Dispositifs analogiques Capteurs Recherche et développement de semi-conducteurs

Isolation électrique

Des couches SiO₂ plus épaisses assurent une isolation électrique entre les structures des dispositifs et peuvent être utilisées pour des procédés d’isolation. CI d’alimentation Dispositifs haute tension Dispositifs RF Structures d’isolation des dispositifs

MEMS & Capteurs

Les couches d’oxyde thermique peuvent fonctionner comme isolation, masquage ou couches sacrificielles dans la fabrication MEMS. Capteurs MEMS Capteurs de pression Microstructures Microusinage du silicium

Diffusion et masquage de processus

SiO₂ fournit une couche de masquage utile pour certaines étapes de traitement des semi-conducteurs. Diffusion dopante Processus d’implantation ionique Processus de gravure Fabrication de dispositifs

Passivation et protection de surface

L’oxyde thermique peut également être utilisé comme couche protectrice et isolante dans les structures de dispositifs à base de silicium.

FAQ

Questions fréquentes sur ce produit

Réponses rapides sur la sélection des matériaux, la personnalisation, les tests et la commande.

Qu’est-ce qu’une plaquette d’oxyde de silicium ?

Une plaquette d’oxyde de silicium est un substrat de silicium avec une couche contrôlée de SiO₂ qui se développe thermiquement à sa surface. Il est largement utilisé pour l’isolation, la passivation, le masquage et la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs.

Quelle est la différence entre l’oxydation sèche et l’oxydation humide ?

L’oxydation sèche produit un oxyde dense et de haute qualité, généralement préféré pour les couches fines d’oxyde. L’oxydation humide a un taux de croissance plus élevé et est généralement utilisée pour les couches de SiO₂ plus épaisses.

Soutenez-vous les quantités de R&D ?

Oui. Nous soutenons la recherche, les commandes de prototypes et de petits lots, ainsi que les besoins en production.

Quelles informations sont nécessaires pour un devis ?

Veuillez fournir la taille de la plaquette, l’orientation, le type de dopage, la résistivité, l’épaisseur du SiO₂, la méthode d’oxydation, le côté oxydation et la quantité.

Enquête technique

Parlez aux ingénieurs de vos besoins en wafer

Partagez votre matériau, dimensions, spécifications, stade d’application ou de projet. Notre équipe examinera vos besoins et répondra dans un délai d’un jour ouvré.