Plaquettes SiC

Substrat SiC

Plaquettes substrat SiC pour applications de puissance, RF, optoélectronique et semi-conducteurs avancés. Disponible en 4H-SiC, 6H-SiC et 3C-SiC, avec des options de type N, de type P et semi-isolantes, plusieurs tailles de plaquettes, niveaux de dopage et finitions de surface.

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Plaquettes SiC

Épitaxie SiC

Nos plaquettes épitaxiales SiC – cultivées par CVD sur des substrats SiC – offrent une uniformité bien contrôlée et une faible densité de défauts, formant une plateforme fiable pour SBD, MOSFET, JFET, IGBT, GTO, BJT, etc., de 600V à 10kV.

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Plaquettes GaN

Modèle GaN

Les gabarits de GaN de PWG consistent en une couche épitaxiale de GaN de haute qualité cristalline cultivée sur des substrats étrangers, offrant un équilibre optimal entre performance, gestion thermique et efficacité des coûts.

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Plaquettes GaN

Épitaxie LED GaN

Les plaquettes épitaxiales LED GaN de PWG sont des hétérostructures prêtes à être fabriquées par MOCVD, conçues pour une haute efficacité quantique interne (IQE), une émission uniforme et des performances robustes.

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Plaquettes GaN

Épitaxie GaN HEMT

Les plaquettes épitaxiales GaN HEMT sont des hétérostructures AlGaN/GaN développées avec précision, conçues pour des dispositifs de commutation à haute fréquence et haute puissance.

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Plaquettes GaN

Substrat GaN autonome

Les substrats autonomes (FS) de GaN sont des plaquettes de GaN en vrac qui éliminent le gabarit de croissance étranger (par exemple, saphir ou silicium), offrant une plateforme native avec une densité de dislocation significativement réduite. Cela permet une amélioration des performances, de la fiabilité et de la durée de vie des appareils dans des applications exigeantes

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