Une plateforme de modèles AlN-on-Si très polyvalente. La couche AlN de haute qualité supporte un large éventail d’applications, notamment l’épitaxie de puissance GaN/RF, les MEMS PIÉZOÉLECTRIQUES (FILTRES SAW/BAW) et les dispositifs photoniques avancés, permettant une intégration fluide avec les procédés de fabrication du silicium matures.

Les modèles d’AlN sur Sapphire présentent des films d’AlN de haute qualité cristalline avec une faible densité de défauts, une excellente stabilité thermique et de fortes propriétés piézoélectriques. Ils sont idéaux pour les LED UV profondes, les dispositifs de puissance/RF, les filtres SAW et la photonique intégrée.

Plaquettes monocristallines en silicium conçues pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, les MEMS et la croissance épitaxiale. Disponible en qualité première et en essai, avec une excellente platitude, faible densité de défauts et des finitions de surface personnalisables pour répondre exactement à vos besoins de procédé.

Des wafers Si epi de haute qualité cultivés par CVD, offrant une épaisseur précise, un profil de dopage et un contrôle de résistivité précis. Conceinés avec une faible densité de défauts et une excellente uniformité d’épaisseur pour les CMOS avancés, les dispositifs d’alimentation discrets et la fabrication de capteurs.

Plaquettes de dioxyde de silicium de haute qualité (plaquettes SiO2-on-Si) fabriquées par oxydation thermique précise. Avec une excellente uniformité d’épaisseur au niveau des plaquettes, une faible densité de défauts et des surfaces prêtes à procéder pour l’isolation des semi-conducteurs, les oxydes de grille et la fabrication MEMS.