Plaquettes GaN
Épitaxie LED GaN
Les plaquettes épitaxiales LED GaN de PWG sont des hétérostructures prêtes à être fabriquées par MOCVD, conçues pour une haute efficacité quantique interne (IQE), une émission uniforme et des performances robustes.
CENTRE DE PRODUITS
Trouvez la plaquette adaptée à votre programme.
Explorez les plaquettes semi-conductrices composées standard par famille de matériaux, spécification et application — ou contactez notre équipe pour des paramètres personnalisés et des traitements en aval.
Recherche de produits & classification
Commencez par le matériel. Affiner selon les spécifications.
Construire un chemin clair de la famille des matériaux jusqu’à une spécification de plaquette prête à la production.
Plaquettes GaN
Épitaxie GaN HEMT
Les plaquettes épitaxiales GaN HEMT sont des hétérostructures AlGaN/GaN développées avec précision, conçues pour des dispositifs de commutation à haute fréquence et haute puissance.
Plaquettes GaN
Substrat GaN autonome
Les substrats autonomes (FS) de GaN sont des plaquettes de GaN en vrac qui éliminent le gabarit de croissance étranger (par exemple, saphir ou silicium), offrant une plateforme native avec une densité de dislocation significativement réduite. Cela permet une amélioration des performances, de la fiabilité et de la durée de vie des appareils dans des applications exigeantes
Modèle AlN
AlN sur le gabarit en silicium
AlN sur des modèles en silicium fournit une interface et une plateforme tampon de haute qualité pour l’épitaxie GaN ultérieure, soutenant le développement de dispositifs d’alimentation GaN et RF haute performance.
Modèle AlN
AlN sur le modèle Sapphire
Les gabarits AlN à base de saphir sont disponibles en plusieurs tailles de plaquettes et avec des épaisseurs et orientations personnalisables en AlN, les modèles AlN-on-saphir de haute qualité cristalline et faible densité de défauts conviennent aussi bien à la R&D qu’au développement de dispositifs.
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TROIS FAMILLES DE PRODUITS DE BASE
Un portfolio clair pour les programmes standards et spécialisés.
Examinez les configurations courantes, les usages typiques et les voies disponibles pour des spécifications supplémentaires.
01
MATÉRIAUX DE FONDATION
Semi-conducteur à large bande interdite
02
COUCHES INGÉNIÉRÉES
Semi-conducteurs composés III-V
03
PROGRAMME SPÉCIFIQUE
Matériaux silicium
APPLICATIONS & INDUSTRIES
Applications et industries
CAS 01 / SYSTÈMES HAUTE TENSION
Électronique de puissance
Solutions de plaquettes à large bande interdite pour une conversion efficace de la puissance, une commutation rapide et un fonctionnement fiable à haute température.
FOCUS SUR L’APPLICATION
Traction EV · Charge rapide · Énergie industrielle
PRODUITS RECOMMANDÉS
Substrat 4H-SiC
Épitaxie GaN
SiC personnalisé
PROCESSUS D’ENGAGEMENT
Comment une demande personnalisée progresse
Soumettez vos exigences spécifiques au programme et nos ingénieurs les accompagneront de l’évaluation à un devis confirmé.
INGÉNIERIE PERSONNALISÉE
Paramètres au-delà de la liste standard
Diamètre et épaisseur personnalisés
Orientation et découpage
Dopage et résistivité
Films minces et empilements de couches
Profil de surface et d’arêtes
Marquage et emballage
01Exigences de soumission
02Revue technique
03Alignement des spécifications
04Estimation et délai d’exécution
ENQUÊTE TECHNIQUE
Parlez aux ingénieurs de vos besoins en wafer
Partagez votre matériau, dimensions, spécifications, stade d’application ou de projet. Notre équipe examinera vos besoins et répondra dans un délai d’un jour ouvré.
Réponse menée par l’ingénierie
Les demandes d’information sont transmises à l’équipe technique ou commerciale appropriée.
Adresse
N° 1389, route Lianmei, zone industrielle de Lianhua, Tong’an, Xiamen, Fujian 361100, Chine
Téléphone
