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GaN Photodetector Wafer

Plaquette photodétecteur GaN

Proposer divers wafers photodétecteurs GaN à épitaxie commerciale avec des structures personnalisables, couvrant différents substrats et besoins d’application

InAlNGaN HEMT Epitaxy

Épitaxie HEMT InAlNGaN

Épiwafers HEMT personnalisés InAlN/GaN sur substrat saphir, SiC et Si, avec 2DEG haute densité, idéaux pour les applications à ondes millimétriques

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